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1.
介绍固定床半再生催化重整装置紧急停车系统的组成、原理及工作过程,给出调试和维护要点。  相似文献   
2.
冯林川 《云南冶金》2005,34(4):101-103
通过制造4台我国特大型非标冶炼回转炉的实践,以详实的实例,总结性地介绍了在特大型非标设备的制造中,怎样运用技术确定“停工检测点”、“质量见证点”,完成设备制造的成功经验。  相似文献   
3.
在分析二次再热机组控制难点的基础上,介绍了1 000 MW二次再热超超临界机组国产自主化分散控制系统关键技术的研发,包括机组分散控制系统的设计及技术特点,机组协调控制技术,汽温控制技术,旁路控制技术及机组自启停(APS)控制技术。示范工程的应用表明,该分散控制系统性能稳定可靠,各项性能指标达到或优于设计值,机组实现了启停全程控制自动化。  相似文献   
4.
阐述了哈三电厂二期2台600 MW机组近年来的启停机节能状况。从设备启停方式和机组改造分析了影响机组启停的经济因素,提出了启停机节能降耗的运行技术措施。  相似文献   
5.
HIN2xxE系列是由+5V单电源供电的高速RS-232收发电路,符合EIARS-232C和V.28规范,以电源功耗低为显著特点,广泛应用于ISDN和高速调制解调器,尤其是电池供电系统中。文中主要介绍HIN2xxE系列电路的原理、特性和典型应用。  相似文献   
6.
如何在节能减排的大背景下,不断开拓新思路、运用新技术,在不影响网络质量的情况下尽可能的提升设备能效是网络发展的必由之路,本文重点介绍了应用于TD-LTE主设备的几种节能新技术,通过对4G系统架构的分析,从硬件和软件2个方面着重阐述了新技术的原理及节能效果。  相似文献   
7.
设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路。采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了芯片过温关断和迟滞开启的功能。采用HHNEC BCD 0.35μm工艺,使用Cadence软件进行仿真验证。仿真结果显示,在各个工艺角及电源电压波动情况下,电路均能在芯片温度上升到170℃时关断、在芯片温度下降到140℃时开启,迟滞值为30℃(±2℃)。  相似文献   
8.
针对常见电压调整器芯片由于热保护电路高温端性能的限制,导致调整器在较高工作温度下输出电压稳定性变坏的缺点,提出一种可用于低压差电压调整器的高性能热保护电路的设计。通过改进热保护电路的电路结构及版图设计,在保证热保护电路的关断精度达到±0.5℃的同时,改善了电压调整器高温段的输出电压稳定性。用Spectre对电路进行仿真的结果表明,采用该热保护电路的电压调整器在0℃~150℃范围内的输出电压精度保持在0.5%之内,输出电压的温漂达17.5ppm/℃。此外,设计的热保护电路结构简单,占用芯片面积小,可在双极型或BCD(BipolarCMOSDMOS)工艺下实现,应用于多种电源管理芯片设计中。  相似文献   
9.
0.13μm CMOS高精度过温保护电路的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用0.13 μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路.芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用.为了防止产生热振荡,采用滞回方式.设计实现了在109℃时关断,78℃时再次开启,有31℃滞迟.仿真结果显示,在电源电压波动或工艺参数变化时,过温保护电路的热关断及迟滞阈值点漂移最大误差仅为2℃,稳定性好.  相似文献   
10.
采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真.结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW.由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部.  相似文献   
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