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介绍了太阳能热风发电的产生背景、技术原理和特点。太阳能热风发电能够实现由太阳能到空气动能,最终到电能的转变,具有环保无污染、运行维护简单、缓解常规能源消耗等特点。简要介绍世界上第1座试验性质的太阳能热风发电站。对太阳能热风发电技术相关研究历程从试验研究和理论研究2个方面做了综述,重点介绍了澳大利亚电站的建设进展及最新相关学术研究进展,包括过渡段理论及试验研究、系统数值模拟和太阳能热风发电技术在高山地区的应用等。介绍我国太阳能资源情况,指出我国太阳能资源丰富,适合建造大型太阳能热风发电站。 相似文献
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Janne Halme Minna Toivola Antti Tolvanen Peter Lund 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2006,90(7-8):872-886
Electrochemical impedance spectroscopy was used to determine the effective charge transfer resistances of porous dye-sensitized solar cell counter electrodes prepared by low-temperature spray deposition and compression of conductive carbon and platinized Sb-doped SnO2 powders on indium tin oxide-coated plastic substrates. The charge transfer resistances were 0.5–2 and 8–13 Ω cm2, respectively, when using 3-methoxypropionitrile as the electrolyte solvent. The manufacturing method used lends itself to produce mechanically stable and even-quality electrodes in an easy and fast manner. 相似文献
64.
徐劲松 《计算技术与自动化》2006,(Z2)
在单线半自动线路上的一例道口大修施工中,由于新道口控制盘的集成化改造和功能的完善,必须对原DX2型双线双盘单控电路进行修改,以满足单盘集成控制的要求。 相似文献
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XU Ying LIAO Xianbo DIAO Hongwei Li Xudong ZENG Xiangbo LIU Xiaoping WANG Minhua WANG Wenjing 《稀有金属(英文版)》2006,25(Z1)
Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2. 相似文献
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In this work we conceived a model of a multilayer solar cell composed by four layers of opposite conductivities: an n-type 6H-SiC used as a frontal layer to absorb high energy photons (energy gap equals 2.9 eV), a p-type Si layer, an n-type Si layer and a p-type SiGe back layer to absorb low energy photons (Si0.8Ge0.2 with an energy gap equal to 0.8 eV). The impurity concentration in every layer of the model is taken equal to 1017 cm−3 to ensure abrupt junctions inside the cell. The optical properties of the separate layers have been fitted and tabulated to be used for thin films devices numerical simulation. We developed the equations giving the minority carrier concentration and the photocurrent density in each abscissa of the model. We used Matlab software to simulate and optimize the layers thicknesses to achieve the maximum photocurrent generated under AM0 solar spectrum. The results of simulation showed that the optimized structure could deliver, assuming 105 cm/s surface recombination velocity, a photocurrent density of more than 53 mA/cm2, which represents 88.3% of the ideal photocurrent (59.99 mA/cm2) that can be generated under AM0 solar spectrum. 相似文献
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介绍了高档普采工作面利用掘送瓦斯尾巷等措施形成回风空间 ,从根本上解决高档普采工作面的瓦斯超限问题 ,其工艺有利于在其它采煤工作面内应用 相似文献
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