量子电子器件——谐振隧道晶体管(RTT)

本文介绍了RTT的概念和谐振隧穿双势垒(DB)的理论,综述了RTT的最新进展,其中包括基区和发射区内有DB的谐振隧道双极晶体管(RTBT)、多态RTBT、超晶格RTBT、双极量子RTT(BiQuaRTT)和单极量子线RTT。     

Physical properties of G-class cement for geothermal well cementing in South Korea

The cement material adopted for a new geothermal well project in South Korea is specialized as the G-class cement, which is commonly used in the oil-well industry, and regulated by the API (American Petroleum Institute). In order to maintain the optimal generating performance of geothermal wells, physical properties of the cementing material should be satisfactory. In this paper, the significant material properties (i.e., groutability, uniaxial compressive strength, thermal conductivity, bleeding potential, phenolphthalein indication) of the G-class cement were experimentally examined, with consideration of various water–cement (w/c) ratios as mix proportion. Important findings through the experiments are as follows; (1) Groutability of the G-class cement increases with the addition of a small amount of retarder. (2) There would be a structural problem when the w/c ratio is kept extremely high in order to obtain acceptable groutability. (3) Thermal conductivity of the G-class cement is small enough to prevent heat loss during circulating up hot steam or water from the deep underground to the ground surface. (4) The G-class cement used for geothermal-well cementing causes no bleeding problem. (5) The phenolphthalein indicator is applicable to distinguishing the G-class cement from the drilling mud.     

CMOS成像器件性能测试方法的研究

针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了像元光子转移技术法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2k×2kCMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性。     

线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响

采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性.通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高,而In组分线性减小的样品发光效率最低.这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响,使阱内价带变得更加平缓.这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度,还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分,提高了辐射复合几率,从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高.     

基于PID和FPGA的宽带增益平坦拉曼放大器的实现

依据积分分离式PID控制原理,设计了基于PID控制技术和FPGA的高精度宽带增益平坦的拉曼放大器(RFA).激光器驱动电流控制精度为0.1 mA,系统温漂小于±25 mK,实现泵浦激光器24 h波长漂移小于±0.02 nm.依据遗传算法,采用5波长大功率LD后向泵浦和100.8 km色散位移光纤(DSF),实现了带宽为90 nm、增益平坦度为0.87 dB的拉曼放大.     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

1064nm RCE探测器光电响应特性分析

对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的Ｉ-Ｖ特性．     

UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用

为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据.     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .     

Quantum Well Infrared Photodetectors:the Basic Design and New Research Directions

IntroductionThe physics and applications of quantumwell infrared photodetectors ( QWIP) based onGa As/Al Ga As materials are well established.Thermal infrared( IR) imaging is the main existingapplication of QWIPs fabricated into focal plane...