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1.
目前,投影机的运用越来越普遍,无论在商务、文教、医院、媒体、还是娱乐等场合,采用能带来高清晰大画面投影机的比比皆是。除了投影机自身素质会决定投影效果之外,投影幕也对投影效果起着举足轻重的作用。通常所见的天花板吊装电动式或手动式投影幕,比较合适装置于固定场所,如私 相似文献
2.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
3.
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。 相似文献
4.
5.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
6.
本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管(LED)的微观发光机理,然后提出了制作LED所用材料的选择原则:由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。 相似文献
7.
8.
GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献
9.
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