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织物-树脂复合材料层压板的准静态侵彻机理 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用MTS得到了芳纶和高强维纶织物复合材料层压板受尖头侵彻体穿孔的准静态侵彻曲线 ,比较和分析了不同类型纤维集合体与热固性树脂和热塑性树脂复合材料的破坏模式 ,并考察了芳纶织物复合材料层压板侵彻的逐步破坏过程 ,揭示了复合材料层压板的准静态侵彻机理。 相似文献
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Xiang Lu S. Sundar Kumar Iyer Jin Lee Brian Doyle Zhineng Fan Paul K. Chu Chenming Hu Nathan W. Cheung 《Journal of Electronic Materials》1998,27(9):1059-1066
We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII)
for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high
cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation
of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous
buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO2 interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique
is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant
in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen
induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure
combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force
which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance. 相似文献
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CAM系统的研制是从国情出发,保持传统产品特点和工艺要求,能适应多品种多规格的需要,有使用方便和通用性强的优点,并且在小样彩色图案的输入和识别处理、意匠过程中顺势间丝、影光、泥地处理等难题上有突破性发展,达到了实用要求。 相似文献
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真丝纬编织物的品种开发 总被引:1,自引:0,他引:1
真丝针织物的品种花色单调已严重影响和制约其扩大出口创汇及生产企业的经济效益及发展。认为主要是品种开发与市场需求脱节,未能掌握国际市场导向指导消费,以及生产技术素质和管理能力不足。文章提出了开发真丝纬编织物的基本原则和目前可行的开发品种。 相似文献
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我国锦纶帘子布市场发展态势及对策 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对我国当前帘布市场态势的分析和今后三年的需求预测,探讨了锦纶帘线的生产发展对策。认为“八五”期间,我国锦纶帘布市场将呈现供大于求的局面,在一段时期内,锦纶帘布仍将是主要的橡胶骨架材料,其占比例为70%左右。预计1993~1995年,锦纶橡胶骨架材料的市场需求量分别为9.16,10.37.11.69万t。 相似文献