利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

UC3846实现48V/50A通信电源

本文分析了峰值电流模式控制的特点,峰值电流模式控制芯片UC3846,并应用UC3846采用双管正激电路设计了48V/50A电源模块。     

横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流特性研究

本文利用混合有限分析法及交错网格。对横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流及负浮力射流的特性进行研究，分析了不同工况下流速，温度和湍动能在断面上的分布及影响射流轨迹线的因素，讨论了轨迹线上温度的变化及浮力射流的贴壁现象。对三维长线源型负浮力射流，分析了流速比，喷口弗汝德数对负浮力射流的影响。     

OTL场输出级电路的功耗计算与显示器场幅自动控制电路设计(之三)——彩色多频同步显示器电路设计分析(Ⅻ)

TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。     

丁腈橡胶/导电粒子复合材料的正温度系数(PTC)特性

将导电粒子碳黑和铜粉分别与丁腈橡胶混合制备导电聚合物复合材料，其中碳黑（Ｎ５５０）／丁腈橡胶复合材料的电阻率随温度的变化呈现较强的正温度系数（ＰＴＣ）效应。讨论了掺入导电粒子浓度、结构和表面性质以及混炼硫化工艺等对该类材料的室温电阻率及ＰＴＣ效应的影响。     

冲击改性剂

一步法制备丙烯酸醋抗冲改性剂,具有良好光折射率和冲击强度的聚碳酸酯组分，高抗冲击难燃聚烯烃模塑制品，耐热耐冲击乳酸聚合物组分，抗冲击，耐热聚（L-乳酸）树脂组成物。[编者按]     

反偏移法三维波动方程正演

三维地震资料的处理与解释往往都需要三维正演模型给予验证，以得到准确的处理、解释结果。本文提出的三维正演方法是一种偏移算法的逆运算方法－有限差分反偏移法。这一算法具有算法简单、运算量小及深度方向分辨率高的特点，是一种快速、高精度的正演算法。反偏移法虽是偏移算法的逆运算法，却出现常规偏移算法中所没有的很多问题。为此，本文进行了三种不同反偏移方法试验，并采用了一种新的浮动坐标变换，使正演结果精度得到很大     

非正态随机变量的可靠性评价方法研究

不确定性及可靠性分析技术已广泛应用到水利及土木系统工程分析中，可靠性计算的核心之一是对随机变量进行正态转换。文中旨在对土木工程系统不确定性及可靠性分析中有着潜在应用前景的非正态随机变量的多项式正态转换方法进行研究。通过在各种条件下非正态随机变量的正态多项式转换成果之评价，发现在水利及土木工程系统可靠性分析中常用的许多分布可以保留其自身的比较好的特征。     

合成氯乙酸正丁酯的催化剂研究进展

综述了改性ZSM-5分子筛,有机锡,氯化铁,TiSiW_(12)O_(40)/TiO_2,CaO脱水法,锆酸酯、杂多钨锗酸等7种不同催化剂催化合成氯乙酸正丁酯的实验结果。结果表明:SO_4~(2-)/TiO_2-Al_2O_3,TiSiW_(12)O_(40)/TiO_2,SO_4~(2-)/膨润土及磷钨杂多酸14种催化剂对合成氯乙酸正丁酯的酯收率较高,具有实际应用价值。