SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。     

Kevlar－49芳纶纤维表面接枝改性

采用空气等离子体处理Ｋｅｖｌａｒ－４９并在活化处理后的纤维表面接枝聚丙烯酸（ＰＡＡ）、聚丙烯酸乙酯（ＰＥＡ）及丙烯酸和丙烯酸乙酯的共聚物（ＰＡＡ／ＥＡ）。单丝拔出实验研究表明，空气等离子体改性的Ｋｅｖｌａｒ－４９／环氧树脂体系的界面结合强度和界面破坏能均有明显提高，其中接枝了Ｐ（ＡＡ／ＥＡ）的Ｋｅｖｌａｒ－４９／环氧树脂体系的界面破坏能（５５Ｊ／ｍ２）比未改性体系的界面破坏能（２７．８Ｊ／ｍ２）提高了一倍。     

微波等离子体源在钢表面氮化中的应用

对微波等离子体源和常规等离子体源进行了对比，分析了微波等离子体源应用于离子氮化的优越性，报道了微波等离子体在钢表面氮化中的应用．     

厚钢板的激光焊接技术

系统地介绍了厚钢板的激光焊接技术特点及国内外动态，着重分析了焊接过程中光致等离子体的危害、控制及主要焊接工艺多数。     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

乙烯基三甲基硅烷等离子体聚合反应历程

应用色谱—质谱(GC-MS)及裂解色谱-质谱(PGC-MS)测定了乙烯基三甲基硅烷等离子体聚合反应中的气体冷凝物及聚合物,研究推导了等离子体聚合反应历程。单体在气相中被电子撞击,然后扩散到基底,在基底发生链增长和链终止反应。     

a—Si等离子体刻蚀的研究

将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。