分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料

我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10~(14)/cm~3量级,迁移率为250cm~2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。     

大肠杆菌中乙醇合成途径的构建

采用PCR技术扩增了运动发酵单孢菌Zymomonas mobilis的两个产乙醇的关键酶基因pdc和adhⅡ，分别克隆到载体pUC19和pUC18中，形成重组质粒pUC19::pdc和pUC18:adh，从中分离出两基因并串联到经Eco RI酶切的pUC18中，转化大肠杆菌E.coli DH5a获得重组质粒pPA。携带pPA的重组菌Pp a被证明具有丙酮酸脱羧酶酶活且提高了乙醇脱氢酶酶活。通过代谢工程在Escerichia coli中成功地构建了乙醇合成途径。     

业务流程重组在热送热装生产组织中的应用

针对某冶金企业在热送热装生产组织过程中存在的问题，提出了利用业务流程重组的方法对企业的生产业务流程进行改造，规划了新的业务流程，并对其实施后的预期效果进行了分析，实际应用和理论分析表明，通过业务流程重组该企业可大大提高连铸坯的热送热装率和板坯的热装温度。     

氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段，对N2，O2混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明：在放电反应室N2,O2混合气体压力1330～3325Pa，峰值电压4～10kV及放电重复频率10～100Hz范围内，N2^ 和O^ 流强相当，N^ 流强约为N2^ 流强的2～10倍，N^ 、N2^ 和O^ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大，随放电气压的变化则存在一极值。     

GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡

本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。     

铁磁偶合的Gd（Ⅲ）Cu（Ⅱ）配合物──组装分子基铁磁体的一种重要元件

铁磁偶合的Ｇｄ（Ⅲ）Ｃｕ（Ⅱ）配合物──组装分子基铁磁体的一种重要元件缪明明，廖代正，王耕霖（南开大学化学系天津３０００７１）摘要分子基磁体的设计是自然界向化学家挑战的一个热点课题。铁磁偶合的Ｇｄ（Ⅲ）Ｃｕ（Ⅱ）配合物是组装分子基磁体的一种重要元件。...     

金属－橡胶硫化粘接过程中分子取向行为的间接证据

对金属－橡胶热硫化粘接复合体的剥离行为进行了研究，同一粘接试样的双向１８０°剥离试验显示出了巨大的差异。本文分析了弹性材料在硫化过程中的分子行为，并提出了相应的新假设，认为这是由于金属－橡胶在硫化粘接过程中分子取向交联行为所致。这种双向１８０°剥离破坏现象可被看作是金属－橡胶硫化粘接过程中分子取向行为的间接证据。