高灵敏度可见光盲AlGaN光电二极管和光电二极管列阵

在过去的五年中,Ⅲ-Ⅴ族氮化物得到了迅速的发展.这不仅促进了蓝色和绿色发光二极管的商业化,同时还促使人们研制出了紫色激光二极管和各种电子器件.除此之外,人们还研制出了一些基于光导元件和列阵的光电探测器以及结器件.     

用于侦察应用的6000元红外焦平面列阵

这里介绍一种6 000元锑化铟(InSb)红外焦平面列阵的设计、体系结构及性能.这种焦平面列阵体系结构允许用其基本元件制作任何一种N×1000元大小的列阵.为了能在穿轨和沿轨两个方向进行有效间距为10μm的21过取样,探测器采用了一种独特的双交错几何图形.这种探测器几何图形除了能以10μm的有效间距进行取样外,还允许使用25μm以下的实际像元尺寸,这样它便可以利用大像元的高信号俘获能力进行无重叠成像.锑化铟探测器是正面照射的P-on-N型台式二极管,它们不会产生明显的串音.互补型CMOS多路传输器是按M×250的分节形式设计的,它具有多达1 000万个电子的满势阱输出,其瞬时动态范围大于14bit,它可以为焦平面列阵提供灵活的低噪声读出.为了提供可用于侦察应用的、可靠且能够生产的长焦平面线列,锑化铟探测器与多路传输器的混成是利用一项取得专利的梁式引线技术完成的.介绍了6 000元红外焦平面列阵的表征,包括二极管的动态阻抗、读出噪声、线性度以及非均匀性等.除了构成焦平面列阵的混成组件的数据外,还介绍了CMOS多路传输器的实测特性.     

采用CMOS N势阱层的低成本红外微测辐射热计焦平面列阵

1引言 非致冷红外探测器由于与光子探测器相比具有成本低、重量轻、功率小、光谱响应宽和工作寿命长的优点,最近已受到了红外成像应用界的广泛关注.为了实现低成本的红外探测器列阵,人们一般都倾向于以单片方式使这些探测器同CMOS读出电子部件形成一体,而这些探测器与读出电子部件的合并通常是用后CMOS表面或块体微切削加工技术来完成的.     

第三代红外成像器（下）

另一种方法是在用铟丘混成之后去除衬底.在制作混成的InSb列阵过程中,衬底的去除是一种标准的操作规程.经过数十次实验,用这种材料制作的甚大规格列阵已得到验证,混成结构的可靠性没有问题.去除CdZnTe衬底有一个附带的好处,那就是列阵对短波长的灵敏度可从0.7μm(CdZnTe的带隙)扩展到可见光和紫外谱区.     

多光谱单片红外焦平面列阵探测器

本发明提供一种多色红外传感器件,即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下：在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接外延生长的读出集成电路;在该表面上用MBE连续生长具有不同带     

用高光谱成像荧光成像仪观察海底情况

海洋是地球最大的资源丰富地区。它吞没了来自河流以及直接来自海面上的天然物质和相似的人工物质,并将其所有物隐藏于淤泥和黑暗中。海浪下面存在着大量有意义的东西,为了将海底所存在的东西显现出来,人们作了许多尝试,但这些尝试却由于海水吸收和散射