电沉积法制备镉靶

对加速器生产^111In所用镉靶制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素，确定了最佳工艺条件。所研制的镉靶厚度大于57mg/cm^2，表面光亮、致密、牢固。     

PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响

实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明：在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变，从立方相变为六方相，即当氨水浓度为0．31M时，得到立方相的CdS薄膜；而当氨水的浓度大于0．51M时，得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善，且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S，但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响，随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

钛材在牙科中的应用

金属钛以钛矿石的形成藏于地壳中，其蕴藏量极为丰富，约有15．2亿吨。钛的储量在各元素中占第9位，在金属元素中仅次于铝、铁、镁而排列在第4位。我国钛储量约为4．8亿吨，居世界之首位，这为我国开展钛的应用研究，特别是对开展钛的口腔修复工作提供了极为有利的条件。     

同沉积断裂带砂砾岩隐蔽油藏研究——以东营凹陷胜北断裂带为例

以构造层序、层序地层分析和基准面分析原理为手段,利用高分辨率地震剖面、测井、岩相等资料,重点研究了东营凹陷胜北断裂带深断陷型湖盆层序中的低位体系域砂体沉积特征、发育规律及其石油地质意义.研究表明,沙三期胜北断裂带的活动形成了断裂坡折带,该坡折带控制沙三段层序低位体系域冲积扇、扇三角洲、浊积扇和小型三角洲等砂体的发育及时空展布.断裂坡折带控制的低位体系域砂体位于层序底部、最大湖泛面之下,成藏条件优良,是隐蔽油气藏勘探的主要方向.      

测井曲线拐点在测井层序地层分析中的应用研究

在层序地层学研究中，层序界面的划分是基础和重要的环节，而利用测井资料分析可以进行层序界面划分和进行较长期基准面旋回识别。测井曲线的值是深度的函数，测井曲线的一阶导数表示了曲线变化的趋势和变化的快慢，在某一范围内，当一阶导数呈现符号转换时，相对应的深度点的测井值即为该范围内极大（极小）值；测井曲线的二阶导数则表示曲线的凹凸性，在某一范围内，当二阶导数呈现符号转换时，相对应的深度点代表了测井曲线的拐点，即反映曲线凹凸性变化的转折点，亦即地层的分界面。基于以上特点，提出利用测井曲线拐点进行层序界面划分的原理和方法，并结合岩心和录井资料，对白音查干凹陷达28井腾格尔组不同级次沉积旋回、地层垒积、旋回特征随沉积厚度变化特点和不同级次基准面旋回进行研究，最后得到该地层单井测井层序地层分析结果。     

大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法，在石英衬底上制备了大面积，高定向性、自支撑的碳纳米管阵列。二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂，连续进给到反应装置中，在一定温度条件下，碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列。这种方法可以获得很高的生长速度，其最大长度可以达到几个毫米。拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度。     

高镁铝合金在喷射成形过程中显微组织的变化

研究了高镁铝合金在喷射成形过程中显微组织的变化.沉积态高镁铝合金基体呈全部等轴晶组织并存在少量显微孔洞是沉积态组织的主要特征.分析了等轴晶组织和显微孔洞在喷射成形中生成的机制.