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以阳极氧化处理的碳布(ACC) 为导电基体,利用Cu的欠电位沉积(UPD)和Cu与Pt金属前驱体之间的置换反应制备了Pt/碳布(Pt/ACC)电极材料,并对其微观结构和电催化分解水制氢性能进行了表征。结果表明,通过控制Cu的沉积电位可以有效地控制Pt的负载量和其在ACC表面的分散状态。随着沉积电位从0.32到0.15 V vs. RHE的变化,Pt/ACC电极材料中Pt的负载量呈线性增加,在0.5 MH2SO4溶液中的产氢反应结果表明,随着Pt负载量的增加,析氢起始电位逐渐降低,当沉积电位为0.15 V vs. RHE时,Pt在ACC表面的负载量仅为588 μg·cm-2,所得Pt/ACC电极材料起始电位为-0.05 V vs. RHE,且达到10 mA·cm-2电流密度所需的过电位仅为68 mV,tafel斜率为34.2 mV·dec-1,电极的催化产氢活性与块体Pt箔相近。 相似文献
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用不锈钢/电沉积紫膜薄膜/含水胶(电介质)/钢型菌紫质光电池研究了作用于N-端表面(紫膜外表面)的钾、镁、镧离子对菌紫质光电响应的影响.在所测条件下光电极性均与质子泵方向一致.光电压幅值是离子浓度依赖性的,对钾、镁、镧离子均存在极大值浓度,它们之间有数量级的差异;依赖性曲线趋势和极大值浓度均各自分别与溶液中菌紫质的质子泵效率对阳离子浓度的这种依赖性相一致.不过,光电响应对作用于C-端表面的这些离子不存在上述的浓度依赖性.上述的两种依赖性成相关性说明:电沉积紫膜薄膜中菌紫质的光电响应主要来自质子泵运而非非质子离子的贡献;存在一合适的离子浓度使菌紫质的光电响应有极大值.用质子泵结构域模型和扩散双电层理论对这种依赖性进行的讨论认为:金属阳离子的结合与屏蔽两种效应可以解释这种依赖性. 相似文献
943.
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研究了加入稀土对电沉积Ni-W-B-SiC复合镀层的成份、结构、表面形貌、硬度等性能的影响规律.结果表明:加入稀土有利于SiC与Ni-W-B的共沉积,使镀层结晶细化,RE-Ni-W-B-SiC复合镀层的硬度高于Ni-W-B-SiC复合镀层. 相似文献
946.
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沉积压力对非平衡磁控溅射沉积MoS2-Ti复合薄膜的结构与性能影响研究 总被引:2,自引:2,他引:2
采用非平衡磁控溅射沉积技术制备MoS2-Ti复合薄膜,研究了沉积压力对薄膜的结构和性能的影响.利用XRF、轮廓仪和XRD分析测试薄膜的成分、厚度和晶相结构,用CSEM薄膜综合性能测试仪测试薄膜的硬度和与基底间的附着力,用球-盘摩擦试验机和真空环模系统评价薄膜的真空摩擦磨损性能.结果表明:降低沉积压力使溅射粒子的平均自由程变大,薄膜沉积过程中再溅射作用加强,对薄膜的结构和性能产生较大的影响.沉积压力升高,薄膜中S和Mo原子比和Ti质量分数随之增大,变化范围分别为1.50~1.77和5.8%~8.1%,薄膜沉积厚度先增大后减小,薄膜晶相结构从明显的(002)基面优势取向向准晶态转变;薄膜的硬度、与基底间的附着力都随沉积压力的升高而降低,薄膜硬度变化范围是5.7~3.5 GPa,薄膜与基底间附着力变化范围是100~75 mN;薄膜在真空环境中的减摩性能不受工作压力变化影响,摩擦因数平均值为0.02,波动范围为0.01~0.04,薄膜耐磨寿命随沉积压力升高依次为9 000,21 500,28 000,18 000 m ,工作压力低时再溅射作用破坏了MoS2分子层间的滑移能力从而使其耐磨寿命降低. 相似文献