低差错平底特性的非规则LDPC码的设计

介绍了非规则LDPC码的发展并给出了其优势及缺点，重点论述用ACE算法来构造非规则LDPC码从而降低其差错平底特性。对降低非规则LDPC码的差错平底特性的其它方法提出了展望。     

压敏电阻及其应用

压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外     

单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能.     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法

通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关。确立的σ_ｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_ｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率为（ｍ为阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）~ｍ的指数），断裂主要由材料阻力行为控制；低应力速率区，σ_ｆ－σ在双对数坐标下为正斜率直线，直线斜率为　（ｎ为应力腐蚀指数），断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法，分别用这种方法及压痕／弯曲方法对一种可切削玻璃－陶瓷的阻力特性进行了实验测定，两种方法所得结果有很好的一致性。     

顶空冷原子吸收法快速测定化妆品中痕量汞

本反应用静态顶空冷原子吸收法快速测定化妆品中痕量汞，本法操作简便、快速、灵敏度高、重现性好、汞含量在０．００６￣０．０３０ｕｇ的回收率为９０．５６％￣１０６．３９％，平均回收率为９７．８６，标准偏差０．０６，变异系数为２．２３％，本法最低检出浓度为０．０６ｕｇ／ｋｇ，完全能满足各类化妆品检测要求。