NiCr薄膜电阻TCR的影响因素

影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多，我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系，从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件。     

空穴孔阵玻璃基片热处理制度的正交设计优化

以Li2O-Al2O3-SiO2-K2O-Na2O为玻璃系统,研究了热处理对制备主晶相为偏硅酸锂(Li2O·SiO2)的微晶玻璃空穴基片载体材料的影响和试验优化,通过正交实验设计分析了热处理制度对玻璃基片中曝光区域的结晶程度和结晶点阵的扩散程度的影响规律,优化后的处理参数为曝光时间120min,核化温度580 ℃,核化时间90min,晶化温度610 ℃,晶化时间50min.     

厚膜混合集成电路的制造技术与应用

本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明，对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言，基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

氧化铝陶瓷基片水基凝胶法低成本制备技术

研究成功了氧化铝陶瓷基片的水基凝胶法工业化生产技术，其使用权价值经评估为１７２７．６９万元，以该技术为基础，组建成了淄博航电子陶瓷有限责任公司，注册资金４３５０万元，现已正式投入生产。３年内将达到年产２０万平方米陶瓷基片的生产能力。获得我国１９９９年度科技型中小企业创新基金第三批支持项目１００万元无偿资助，列为即将启动的５０项“８６３”计划重大产业化项目之一。     

光学匀度传感器

霍尼韦尔于2010年6月发布光学匀度传感器（Precision FotoSurf）。作为扫描成像测量家族中最新的产品,Precision FotoSurf最先亮相于2010年芬兰赫尔辛基国际造纸业展览会，Prccision FotoSurf是一种表面质量测量化感器，能够帮助纸张纸板生产商提升产品质量并降低废品率和生产成本。对于印刷纸张以及各种等级纸板产品来说，     

衬底温度对Al2O3薄膜微观组织和电阻率的影响

为了研究衬底温度对Al2O3薄膜表面形貌和绝缘性的影响，用奥氏体不锈钢作衬底，在不同温度下用直流反应磁空溅射法直接衬底Al2O3薄膜。把在室温、100℃，250℃和400℃下衬底的样品，用SEM，EDS，XRD观察分析薄膜的微观组织，用绝缘电阻仪测量薄膜电阻。结果表明：衬底温度升高，薄膜表面晶粒度增大；薄膜电阻率随其温度升高而下降。     

与基片位置有关的不同夹具下生长的薄膜结构模拟与分析

按照正切规则，给出了不同夹具下与基片位置有关的薄膜微柱体的生长公式，并直 观地模拟计算了这些薄膜的微观结构，反映了不同夹具下生长的薄膜结构差异与特点。