PIN型快速恢复二极管的研究与应用

剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用.     

P型4H-SiC少数载流子寿命的研究

为了更好地了解P型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,利用激光和微波技术作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,详细描述了该测试方法和实验装置,讨论了高温退火前后晶片中少数载流子寿命的变化,并用LabVIEW对测试数据进行了拟合。结果表明:高温退火能提高载流子寿命,并且实验数据与拟合结果较符合。说明了微波光电导衰减法(μ-PCD)是一种测试少子寿命的快速、有效方法,对研究半导体材料性能具有重要意义;同时,研究高温退火条件下少子寿命的变化,对提高其材料的电性能也具有重要意义。     

声表面波存贮相关卷积器的研制

本文介绍了ＬｉＮｂＯ３抽头延迟线（ＴＤＬ）外接ｐ＾＋ｎ二极管阵列结构的声表面波（ＳＡＷ）存贮相关卷积器。器件的中心频率为３０ＭＨｚ，卷积效率为－５４ｄＢｍ，存贮相关效率为－７６ｄＢｍ，信号存贮时间大于７０ｍｓ。文中讨论了杂波产生的原因及其抑制，以及二极管阵列少子寿命与存贮时间的关系，计算了相关输出与参考信号和读信号的关系，结果表明这种结构的器件是双线性的。文中还对这种结构器件的设计及优化提出了建议     

多晶硅片清洗制绒均匀性的研究

根据多晶硅片的结构特点,对多晶硅片的绒面制备工艺进行优化,在达到减反射效果的同时,改善了电池片的色差情况,同时保证了电池片的转换效率。     

高压大功率开关晶体管少子寿命与诸电参数之间的关系及其控制技术的研究

本文研究了少子寿命与开关晶体管主要电参数之间的相互制约关系,探索了少子寿命的控制技术。     

功率半导体器件少子寿命测试仪

采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τｐ大＝２τｐ小可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。     

用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度

用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。     

用SPV法对影响硅片少于寿命因素的研究

随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素。     

变温磷吸杂对多晶硅性能的影响

用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h 700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降。实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。