应用12MeV电子辐照效应制造硅p^＋nn^＋高频整流二极管

介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将ｐ＾＋ｎｎ＾＋普通整流二极管改制成高频流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔｒｒ、ＶＦ一致性、重复性好，高温性能明显改善，合格率提高３０％以上，工艺简耐 易而易行，经济效益显著。     

平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法

详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。     

电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质

本文介绍用1.3MeV电子束对p~ in~ 二极管进行辐照,得出了少子寿命随辐照剂量增加而减少的结果。辐照造成的缺陷主要为双空位。辐照器件工作稳定可靠。     

电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。     

硅片少子寿命的直排四探针测试

用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时 ,减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少 ,根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系 ,求得少子寿命     

太阳能电池板用多晶硅的退火行为研究

对太阳能电池板用铸造多晶硅进行了不同温度的退火处理,用光学显微镜、扫描电子显微镜和微波光电导衰减仪等研究了退火温度对多晶硅显微形貌和少子寿命的影响。结果表明,退火温度升高使得位错尺寸不断减小而位错密度不断增大,位错会不断向晶界处富集,且退火温度越高,这种聚集趋势越显著;随着退火温度升高,多晶硅的少子寿命先缩短后延长,退火温度950℃时少子寿命最短。     

射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响

于不同射频功率下制备出非晶Si膜并对其进行真空退火处理,采用XRD、TEM和少子寿命测试仪等检测手段分析了退火前后薄膜的微观结构及电学性能。研究发现,随着射频功率的增加,薄膜的中程有序度和少子寿命均呈先增后减的趋势。经真空退火处理后,非晶硅膜得以晶化,少子寿命较退火前有大幅提高;另外,退火后薄膜的晶化率和少子寿命随射频功率的变化趋势与退火前一致,说明同一热力学条件下薄膜的中程有序度越高越容易发生晶化。     

晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响

对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。     

从多子角度阐述p-n结理论

传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。