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单晶硅表面钝化后少子寿命以及制成的太阳电池转换效率与单晶硅表面金字塔大小、形貌和分布密切相关。用不同的碱液刻蚀单晶硅表面,用SEM观察其表面绒面结构,测量了不同碱液刻蚀的单晶硅表面的少子寿命以及对应太阳电池的转换效率。实验研究表明,不同碱液刻蚀的单晶硅表面绒面结构形貌差异大,少子寿命明显不同。进一步研究发现,绒面上金字塔尺寸较大,且分布不均匀,则其少子寿命较短,对应太阳电池的转换效率较低;反之,绒面上金字塔小且分布均匀,则绒面少子寿命相对较长,对应的太阳电池转换效率相对较高。 相似文献
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快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响.研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致.原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RIP后,其少子寿命值得到明显改善.低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大.高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降.实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响. 相似文献
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少数载流子寿命是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。本文综述了在多晶硅等级判定与铸锭过程中少子的检测方法,其中包括了国内外检测标准与方法原理,以及在实际检测过程中少子寿命与基体金属的关系。 相似文献
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通过理论分析和实验研究,找出了影响 ZQ 正向饱和压降的主要因素,提出了改进 ZQ 正向饱和压降的可行性措施:减薄高阻区厚度,提高合金温度等.取得了较显著的效果. 相似文献
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氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了硅片中氧沉淀形成的机理,推荐一种本征吸除的改进技术,用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中,用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后,可增加硅片表面MOS结构少子产生寿命和降低P+N结二极管的反向电流。 相似文献
100.
为降低硅光电探测器PN结反向暗电流,可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT)。在实验过程中,对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向暗电流。 相似文献