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991.
Yuval Hernik 《电子设计技术》2006,13(9):102-102
电阻精度的问题看起来比想象的要复杂些。电阻有三种基本类型:BulkMetal箔、薄膜及厚膜,这三种电阻表面上看起来很相似,并且可能具有类似的采购规格。但实际上,这三种电阻的制造方式均不同。本身固有的设计与处理将极大影响电气性能,因此在安装后,这三种电阻的行为均不相同。当 相似文献
992.
以1Tb/s的数据传输速率实现芯片间的通信技术已经问世(见图1)。1Tb/s的传输速率是在以往ISSCC上所发布的芯片间通信技术中最快的传输速率,其平均传输速率的功耗和电路面积也是最小的。平均1Tb/s的功耗为3W,芯片面积仅有1mm^2(见表1)。 相似文献
993.
目前,国内外CATV光链路传输,均采用AM光纤传输系统,其技术指标与同轴电缆传输系统的技术指标基本一样,也有C/N、复合二次差拍(Composite Second Order Beat.组合CSO)和复合三次差拍(Composite Triple Beat.CTB)。这三大指标在CATV光链路AM光纤传输系统中,与许多因素有关。本文就如何防范CATV光链路传输系统的噪声积累、提高系统C/N指标.进行了分析和计算。 相似文献
994.
启明星1号装置是我国研究ADS次临界中子学的一个快热耦合系统。本文用离散坐标法的程序TWODANT对启明星1号装置能谱进行分析计算。计算结果表明,启明星1号装置具有比较硬的中子能谱,可用以进行有关ADS的研究。 相似文献
995.
文章设计钯钇合金膜氢同位素分离器,并系统研究分离系数与温度、分流比、气体流速等因素间的关系。研究结果表明:分离系数随温度的增加而下降,在573~723K范围内,对于66.2%H2-33.8%D2气体,当进料流速为5L/min、分流比为0.1时,分离系数由2.09下降至1.85;而当分流比为0.2时,分离系数由1.74下降至1.52。随着分流比的增大,分离系数逐渐降低。在573K下,进料流量为5L/min时,对于15.0%H2-85.0%D2,当分流比由0.050增大至0.534时,分离系数由2.43降低至1.35;对于66.2%H2-33.8%D2,当分流比由0.050上升至0.688时,分离系数由2.87下降至1.30。对于一定的分离过程,原料气体流速存在最佳值,达到该值时,分离系数最大。 相似文献
996.
997.
998.
根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络. 相似文献
999.
1000.