IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

数字电视用中分辨率74cm纯平彩色显像管BC配列不良的分析与对策

通过对74cm中分辨率纯平彩色显像管BC配列局部严重群散不良的调查分析,确定荫罩受力塌陷是主要原因,通过改良设计、工艺优化及其它方面的综合对策,使以上技术难题得到满意的解决,整管不良率由4.78%下降到0.172%。     

蒸发加热器换热管开裂失效分析

对某装置蒸发加热器316L材质的加热管使用15 d即发生了开裂和腐蚀减薄的原因进行了分析,认为在酸性的含有HAc、HBr、Cl-和硫酸盐等有害杂质的介质环境中,换热管不仅发生了应力腐蚀开裂,同时也发生了全面腐蚀和晶间腐蚀。     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

魏氏组织对20#碳钢H2S应力腐蚀开裂性能的影响

文章对H₂S-CO₂-H₂O腐蚀环境下发生H₂S应力腐蚀的20^＃碳钢弯管（无缝钢管）进行了成分、组织、拉伸、硬度和应力腐蚀开裂等性能的试验研究，并与同材质、同时投产、腐蚀环境基本相似而未发生应力腐蚀开裂的在役弯管及未使用的新弯管作对比，结果表明魏氏组织是引起20^＃钢发生应力腐蚀开裂的主要原因；正火能消除魏氏组织，降低钢的应力腐蚀开裂敏感性。     

烟气轮机叶片应力分析与寿命评估方法评述

烟气轮机是炼油厂催化裂化装置的关键设备,合理预测叶片疲劳寿命是保障烟机安全运行的有效手段。从力学建模和边界条件两个方面简要阐述了叶片的应力分析方法,并系统分析了影响烟机叶片疲劳寿命的主要因素,提出了利用改进的局部应力应变法进行叶片寿命预测的合理性和叶片疲劳寿命的评估方法。     

双转向垂向控缝技术实验研究及现场应用

针对压裂过程中缝高较难控制的问题，研制开发出新型的油溶性垂向双转向剂，并开展了室内实验研究。首次验证了转向剂对裂缝延伸的控制机理，确定了转向剂的适用浓度及控缝能力。实验表明，转向剂可以增加隔层应力3～4MPa左右。在此基础上研究了控制裂缝高度施工方案的设计方法，并利用全三维软件结合垂向应力剖面对控缝技术进行了优化。现场推广应用30井次，取得了较好的控缝效果。     

淤泥软基爆炸固结试验研究

对爆炸效应在淤泥软基工程中的应用问题进行了探讨，并首次提出了爆炸在淤泥软基中的分界应力特征以及排水固结及破坏分区的基本模式。为采用动力加速对淤泥软基工程的处理，提供了试验依据，具有实用价值和指导意义。     

土壤冲击特性的实验研究

本文利用分离式Hopkinson压杆研究了土体在不同应变率条件下的冲击动态力学性能，发现土体有明显的应变率效应，与静载相比，冲击荷载下土的动强度和动模量均有很大的提高。