新型除尘滤材的开发研制

本文分析了国内外滤材发展状况，提出我院新型除尘滤材的研制方案，并对创新要点进行了重点阐述。     

混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

基于体全息技术的WDM器件

利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能，并报道了国外对该项技术的研究进展。     

工程技术百年颂

宋健同志这篇文章，站在世纪之巅，纵观百年历史长河，高屋建瓴，激情洋溢，把浩若繁星的工程科技成就，编织成一幅壮美的历史画卷，展示在世人面前，让人感受到科技作为第一生产力的神奇及作为历史前进杠杆的威力，看到了科技创造现代文明和人民福祉的不朽功绩，使人读来不禁由然产生了对一代代工程科技专家们的由衷敬佩。中华民族需要一批科学家挺进在世界科学前沿，更加需要众多世界一流的工程科技专家涌现出来，我们愿更多的有志英才，读过此文后，更加热爱和崇尚工程科技事业，投身于工程科技大军，为建设中国现代化奉献智慧和力量，去创造工程科技新的辉煌。     

稀土电极材料在赤血盐电解制备中的应用

赤血盐〔K_3Fe(CN)_6〕是化学、医药、造纸、彩色胶卷等许多工业中经常使用的重要化学试剂和化工原料,在电镀、制革及钢铁工业中的应用更具有悠久历史。目前在选矿及其它领域也找到了一些新的用途。过去生产 K_3Fe(CN)_6均采用化学氧化法,使用氧化剂有 Cl_2、KMnO_4、O_3等。自本世纪60年代以来,欧洲一些厂家相继改     

电热带用于仪表系统伴热的经验

引用自调节功率电热带取代原始的仪表管路保温措施,保证冬季仪控系统的正常工作,取得一定经济效益和环保作用.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。