全文获取类型
收费全文 | 40900篇 |
免费 | 2765篇 |
国内免费 | 1615篇 |
专业分类
电工技术 | 2773篇 |
综合类 | 3238篇 |
化学工业 | 5331篇 |
金属工艺 | 1732篇 |
机械仪表 | 2124篇 |
建筑科学 | 6312篇 |
矿业工程 | 2006篇 |
能源动力 | 1404篇 |
轻工业 | 2579篇 |
水利工程 | 2560篇 |
石油天然气 | 2397篇 |
武器工业 | 396篇 |
无线电 | 4669篇 |
一般工业技术 | 2830篇 |
冶金工业 | 2529篇 |
原子能技术 | 521篇 |
自动化技术 | 1879篇 |
出版年
2024年 | 362篇 |
2023年 | 1298篇 |
2022年 | 1618篇 |
2021年 | 1785篇 |
2020年 | 1520篇 |
2019年 | 1409篇 |
2018年 | 695篇 |
2017年 | 1144篇 |
2016年 | 1253篇 |
2015年 | 1496篇 |
2014年 | 2577篇 |
2013年 | 2060篇 |
2012年 | 2540篇 |
2011年 | 2393篇 |
2010年 | 2167篇 |
2009年 | 2200篇 |
2008年 | 2943篇 |
2007年 | 2016篇 |
2006年 | 1747篇 |
2005年 | 1909篇 |
2004年 | 1472篇 |
2003年 | 1188篇 |
2002年 | 957篇 |
2001年 | 910篇 |
2000年 | 748篇 |
1999年 | 675篇 |
1998年 | 577篇 |
1997年 | 545篇 |
1996年 | 505篇 |
1995年 | 440篇 |
1994年 | 374篇 |
1993年 | 322篇 |
1992年 | 307篇 |
1991年 | 272篇 |
1990年 | 276篇 |
1989年 | 266篇 |
1988年 | 52篇 |
1987年 | 53篇 |
1986年 | 39篇 |
1985年 | 45篇 |
1984年 | 43篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 22篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 3篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
分析了微带长度及阻抗比对SIR带通滤波器的谐波参数的影响,并利用Angilent ADS仿真软件分别对不同长度及不同阻抗比的滤波器电路进行仿真分析,找出谐波频率随微带长度及阻抗比变化的规律。 相似文献
992.
993.
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能. 相似文献
994.
995.
在传统带隙基准的基础上,设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿,采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态功耗电流为7.11μA;电源电压2.5~5.5 V,基准电压变化148μV;温度在–40~+145℃内,电路的温度系数为1.18×10–6/℃;低频时电源抑制比为–87 d B。 相似文献
996.
997.
提出了一种单相驱动的立式短柱型压电直线超声电机,论述了该电机的动作原理和设计过程。该电机利用纵向振动和横向振动的耦合模态工作。为获得同一驱动频率的一致的双向运动特性,该电机采用对称结构,利用压电陶瓷在短路和开路时弹性模量存在差异的特性,用单相驱动信号实现了纵向和弯曲耦合模态的有效激发。以增大电机弯曲振动模态前后振幅比为目标,利用三自由度集中质量的简化模型,优化了定子的结构。制作了电机的原理样机,对其进行了输出性能测试。实验结果表明,电机的输出性能良好。电机定子长22 mm,自重3.3 g,0.3 N输出推力下最大速度达140 mm/s,5 N预压力下最大输出推力近1 N。 相似文献
998.
1.25 Gbit/s突发模式光发射机设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了光突发交换(OBS)和无源光网络(PON)网络中突发模式光发射的关键技术,提出了采用外调制方式实现1.25Gb/s突发模式光发射机的设计方案;其核心部件为分市反馈式(DFB)半导体激光器和电吸收(EA)调制器集成器件。论证了实现突发模式光发射机的调制方式和及其主要技术指标。 相似文献
999.
在QPSK调制方式下对瑞利信道的采用Alamouti方法的发端分集和采用MRC方法的收端分集误码性能进行分析比较,并用MATLAB对发端、收端分集技术进行模拟,说明发端分集技术可以取得和收端分集技术相当的性能,并介绍几种简化的发端分集技术。 相似文献
1000.