利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

一种改进的同步侦破和识别过失误差的方法

将线性组合技术引入过失误差同步估计法 ,用于确定候选过失误差子集。以一个循环网为例 ,对两种算法的性能进行了比较。对一个蒸汽系统的稳态数据校正仿真结果证明了该方法的有效性     

凝析气藏物质平衡方程的改进与应用

为了提高凝析气藏油气采收率，通常采用目前最有效的循环注气保持地层压力的开采方式。在此开采方式下，直接采用气藏物质平衡方程进行地质储量计算将出现很大偏差。针对这种情况，将气藏物质平衡方程进行了改进，得到凝析气藏在注气开发方式下的物质平衡方程。     

UC3846实现48V/50A通信电源

本文分析了峰值电流模式控制的特点,峰值电流模式控制芯片UC3846,并应用UC3846采用双管正激电路设计了48V/50A电源模块。     

横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流特性研究

本文利用混合有限分析法及交错网格。对横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流及负浮力射流的特性进行研究，分析了不同工况下流速，温度和湍动能在断面上的分布及影响射流轨迹线的因素，讨论了轨迹线上温度的变化及浮力射流的贴壁现象。对三维长线源型负浮力射流，分析了流速比，喷口弗汝德数对负浮力射流的影响。     

干压陶瓷砖尺寸偏差原因分析及其解决办法

结合干压陶瓷砖尺寸的国家标准,对在实际检测过程中遇到的尺寸偏差的两种类型,举例说明,指出产生尺寸偏差的原因,进而提出解决尺寸偏差的办法。     

OTL场输出级电路的功耗计算与显示器场幅自动控制电路设计(之三)——彩色多频同步显示器电路设计分析(Ⅻ)

TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。     

丁腈橡胶/导电粒子复合材料的正温度系数(PTC)特性

将导电粒子碳黑和铜粉分别与丁腈橡胶混合制备导电聚合物复合材料，其中碳黑（Ｎ５５０）／丁腈橡胶复合材料的电阻率随温度的变化呈现较强的正温度系数（ＰＴＣ）效应。讨论了掺入导电粒子浓度、结构和表面性质以及混炼硫化工艺等对该类材料的室温电阻率及ＰＴＣ效应的影响。