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绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件. 相似文献
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腐蚀与结垢的控制是工业冷却水系统运行管理的核心,影响因素总磷、无机磷含量、酸不溶物的主要成分是硅含量,将这一指标作为循环水水质的日常控制指标,掌握药效发挥的衰减期,确保系统水质稳定. 相似文献
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无模型自适应控制(Model-Free Adaptive Control,MFAC)作为一种不依赖于系统数学模型、简单、有效具有广泛适用性的先进控制方法,已经在很多的复杂过程中得以应用,取得了良好的控制效果;针对中药生产浓缩过程中受控对象的特点,将MFAC的基本模型进行了改进和组合,给出了更适应中药浓缩过程的控制方案,并将控制方案应用于工程实践,运行结果表明该控制方法能较好的控制蒸发过程中的温度及压力,保证稳定的双效循环蒸发,控制效果良好. 相似文献
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