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锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献
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日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb/InAs HEMT结构,其迁移率高达27300cm^2/V.s,该种结构将用于逻辑电路,它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
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在通信行业中,人们似乎已经习惯于用“严冬“来形容全球通信业近来所经历的艰难处境。当许多私营企业苦苦挣扎于光纤光缆价格大战、企业面临生死抉择、行业处于四面楚歌的困境中时,四川汇源光通信股份有限公司却在中国相对贫困的西部,点起通信业发展的火把,驱走了严冬的寒意。 相似文献
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本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。 相似文献
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商业化运营模式促进产业创新,一度成为深圳地区IC设计业的活力源泉。不过,在经历繁荣创业之后,本土企业的进一步发展需要整个成熟产业环境的支持,小而散的灵活性并不能支撑一个区域产业的长久竞争,长三角半导体产业的发展已经证明群聚效应带来的综合竞争力是1加1远大于2。 相似文献
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