Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究

利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.     

SrTiO3薄膜材料的高分辨率X射线衍射分析研究

本文应用高分辨X射线衍射(HRXRD+TAXRD)技术对外延生长的SrTiO3膜进行了分析,获得了有关该薄膜的晶体取向、衬底的结构特性以及弛豫态的点阵常数等信息,对今后改进SrTiO3系列样品生长工艺有重要的意义.     

常温生长类金刚石薄膜的实验研究

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)工艺在常温下实现在不锈钢、硅片、玻璃等基底上大面积沉积类金刚石(DLC)膜.薄膜表面光滑致密,与衬底的结合力较高.用Raman,FTIR,SEM,EDX研究了薄膜的形貌、结构与组分.用栓-盘摩擦磨损试验机测试了薄膜的摩擦系数.通过优化沉积参数,所沉积的DLC膜在与100Cr6钢球对磨时摩擦系数低于0.01.在摩擦过程中DLC膜的磨损机制借助SEM进行了研究.     

直流电沉积CdS纳米线的研究

在磷酸溶液中，采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO)．以AAO为模板，选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线，溶去模板后，获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1．5μm的纳米线，与AAO模板的孔径一致．该方法在制备过程中，无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程，而是直接在纳米孔内电沉积CdS，形成CdS半导体纳米线阵列．该方法工艺简单，操作方便，容易获得半导体CdS的一维纳米材料．TEM和XRD测试结果表明，CdS纳米线为六方晶型结构．对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨．     

二次热压烧结对燃烧合成TiB2-Cu-Ni复合材料组织及性能的影响

采用自蔓延高温燃烧合成技术制备了相对密度为90%左右的TiB2-40Cu-8Ni金属-陶瓷复合材料.为了进一步提高复合材料的力学性能,分别在1 200,1 250,1 300℃温度下对复合材料进行二次热压烧结,详细研究了TiB2-40Cu-8Ni复合材料液-固两相区间的变形行为、组织特征及力学性能的变化.结果表明:经过二次热压后,材料的相对密度和弯曲强度有了较大幅度的提高,在1 300℃时,材料的相对密度提高了5%,弯曲强度达到608 MPa.复合材料中TiB2颗粒的形貌也发生了改变,大部分由原来的等轴状转变为长棒状,同时根据TiB2晶体结构特征,分析了复合材料中TiB2的晶体学上的生长机制.     

电场对Al-Mn-Mg合金的微结构和织构形成的影响

利用透射电子显微镜观察(TEM)和X射线衍射技术(ODFs分析),研究了电场对Al-Mn-Mg合金的回复和再结晶组织演变、再结晶织构的形成和发展的影响.结果表明,电场对再结晶的影响其强度有一个门槛值(3～4 kV/cm),低于此值电场对该合金的再结晶没有明显的影响.强度为4 kV/cm的电场对再结晶形核的影响较大,可抑制Al-Mn-Mg合金的回复和再结晶,促进再结晶立方织构的形成.其主要原因是电场降低了各取向的形变储能,推迟了再结晶进程,抑制储存能小的取向晶核的形成和长大,促进储存能大的S取向晶粒向立方织构择优生长.     

宝钢地区计量校准实验室群开展的计量校准工作

宝钢是一个年产千万吨钢材的现代化特大型钢铁企业．它的主要产品是：板材、管材、线材以及其他副产品，其中汽车板供应国内外汽车制造商。为了满足汽车制造商的要求，宝钢前几年就已经开始贯彻美国三大汽车制造公司对汽车板供应商要求的QS9000标准，现正贯彻国际汽车制造业对汽车板供应商要求的ISO/TS16949：2002标准。同时．宝钢要求为宝钢生产过程提供定修、年修、大修、专项检修、改善维修服务的外部实验室，必须通过ISO／IEC17025：1999标准的认可。     

电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究

用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关.实验结果预示着在高电子密度的ICP-CVD过程中,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同.     

原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究

采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.     

纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究

以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.