银盐法测定牛黄解毒片(丸)中的三氧化二砷

建立了银盐法测牛黄解毒片和牛黄解毒丸中三氧化二砷含量的方法.金属锌与酸作用所产生的初生态氢与供试品中微量的砷盐化合物反应生成挥发性的砷化氢,再与二乙基二硫代氨基甲酸银作用生成紫红色产物.将试样与标准砷溶液在同一条件下所得的产物置分光光度计下测量出透光度,通过比较透光度的相对大小,来判断所测药片和药丸是否合乎国家标准.用所建立的方法对不同厂家生产的牛黄解毒片和牛黄解毒丸进行了测定.     

苯甲醇二硫代甲酸铜(Ⅱ)配合物的合成与表征

通过X-射线晶体衍射,确定了Cu[C6H5CH20CS2]2的晶体和分子结构.晶体结构属正交晶系,空间群为Pbca,晶胞参数分别为a=7.2 05 5(1) ,b=6.9059(1) ,c=34.9467(1) ,Z=4.苯甲醇二硫代甲酸从巯基基团中失去一个质子而解体为一个带负电的二齿配体通过两个硫原子与铜(Ⅱ)原子配位.     

原甲酸三甲酯制备方法的改进

讨论了温度、物料配比及压力对原甲酸三甲酯收率的影响，找出了最佳反应条件。     

蓖麻油基COPU／PMMA IPN的合成性能和形态结构的研究

研究了ＩＰＮ ＣＯＰＵ／ＰＭＭＡＢ预聚体合成的表观动力学。研究了ＩＰＮＣＯＰＵ／ＰＭＭＡ的物性及力学性，并用透射电镜研究了其形态结构。实验结果表明，此种ＩＰＮ材料具有良好的性能，如力学强度和化学稳定性。ＣＢ     

N,N—二异丁基二硫代氨基甲酸锑的合成及表征

以二异丁胺、二硫化碳、三氧化二锑（或三硫化二锑）为原料合成了Ｎ，Ｎ－二异丁基二硫代氨基甲酸锑，考察了反应时间，反应温度、溶剂用量，重结晶溶剂等对合成工艺的影响，研究了该产品的提纯工艺，采用元素分析，红外光谱（ＩＲ），核磁共振技术（＾１ＨＮＭＲ，＾１３ＣＮＭＲ）探讨了其化学组成及分子结构，利用热分析技术（ＴＧ，ＤＴＡ）研究了该化合物的热分解过程。     

铕、铽-2-噻吩甲酸-1,10-菲咯啉三元配合物的合成及荧光性质的研究

同时合成了高氯酸铕、铽与2-噻吩甲酸、1,10-菲咯啉(phen)的三元配合物和高氯酸铕、铽与2-噻吩甲酸的二元配合物,对配合物进行了元素分析、稀土络合滴定、红外光谱、摩尔电导测定,确定了配合物组成分别为REL3·2H2O及REL3L'·C2H5OH(RE=Eu,Tb;L=2-噻吩甲酸,L'=1,10-菲咯啉).摩尔电导数据表明,此类配合物为非电解质.红外光谱测定表明,配体2-噻吩甲酸羧基氧与稀土离子配位,配体1,10-菲咯啉两个氮原子与稀土离子配位.荧光光谱实验表明,1,10-菲咯啉加入到铕-2-噻吩甲酸二元配合物和铽-2-噻吩甲酸二元配合物中形成三元配合物后它们的荧光明显增强.     

钚萃取回收前的甲酸脱硝

为了用TBP萃取回收废液中的钚，需把废液中的硝酸浓度控制在3～6mol／L之间。在现有的欲处理的废液中，硝酸浓度约为12．8mol／L，必须进行脱硝，以降低硝酸浓度，方可利用TBP回收钚。     

银二聚体掺杂与甲酸根掺杂立方体溴化银乳剂的协同增感研究

使用反馈式微机控制双注仪，在晶体生长过程中的某一时刻，一定pAg下，同时加入一定浓度的二甲基胺硼烷（DMAB）和一定浓度的甲酸盐，分别制得了甲酸根离子处于晶体次表面位置的立方溴化银微晶乳剂和Ag2与甲酸根同处于晶体次表面的立方溴化银微晶乳剂。对此两份乳剂感光性能的测试结果表明：（1）单独甲酸盐掺杂乳剂与Ag2、甲酸根协同掺杂乳剂相比，二者感光度相同；（2）单独甲酸盐掺杂乳剂与Ag2、甲酸根协同掺杂乳剂相比，二者经常规的硫加金化学增感和光谱增感后，前者增感明显优于后者；（3）卤化银颗粒内部的Ag2或甲酸根掺杂可同时与常规的表面硫加金增感和光谱增感进行协同增感；（4）所有的掺杂乳剂，包括原始、硫加金和光谱增感的掺杂乳剂，它们的灰雾均保持在低水平。     

[（HOC_2H_4）_2NCSS]_3Cr配合物的合成及结构表征研究

合成了新型晶体配合物二羟乙基二硫代氨基甲酸铬[（HOC2H4）2NCSS]3Cr,对其结构进行解析和表征。用X-射线单晶衍射法测定了晶体的结构,结果表明配合物[（HOC2H4）2NCSS]3Cr晶体属于单斜晶系;空间群为C2/c,晶胞参数：a=17.9410（19）,b=10.3755（11）,c=14.4284（16）,β=113.5710（10）°;晶胞参数比：a/b=1.7293,b/c=0.7191,c/a=0.8042。通过元素分析,红外光谱,紫外分析等表征手段对其结构进行分析,表明其结构均与X-射线单晶衍射法测定的晶体的结构吻合。     

电镀制备铟-锡合金电极及其电还原二氧化碳性能

以腐蚀铜网为基体,在硫酸盐镀液中制备得到用于电还原CO2的铟-锡合金电极。对镀液配方进行了筛选,并通过正交试验对镀液配方进行优化,得到制备铟-锡合金电极的最佳工艺条件为:In2(SO4)350g/L,SnSO430g/L,柠檬酸40g/L,添加剂TSNA4g/L,稳定剂3g/L,电流密度1.5A/dm2,温度25°C,pH约1.5。最佳工艺下制备的In-Sn合金镀层呈均匀的灰白色,结合力良好,In-Sn合金电极上电还原CO2生成甲酸的电流效率达71%,稳定性良好。