视界

书本戒指艺术家Jeremy May往书本里钻出一个洞,再将挖出来的几百层纸压在一起,进行打磨抛光,打造出这枚漂亮的纸戒指。这枚戒指还可以重新被放回书本的洞中。这是否是最具有文化底蕴的戒指？     

毛织物生物酶整理

介绍了纤维素酶和蛋白质酶在纺织印染整理加工中的应用,通过分析在羊毛织物的抛光整理、防毡缩整理、拒水整理和阻燃整理中生物酶的应用情况,说明了生物酶在毛织物的后整理过程中的作用机制和应用方法。     

书讯

<正>~~     

谨防抛光物着火

说起几天前自家那场“不大不小”的火灾，周先生仍然心有余悸一放在洗衣盆的衣服竟然突然冒烟着起火来，而且连续着火两次。这火源到底在哪儿？盆里衣服两次自燃。     

瓷质砖抛光工序参数浅析

本文分析了瓷质砖抛光工序中的磨具、磨头、压力、速度等工作参数对抛光各阶段的影响,阐述了各阶段工作参数的选择原则.     

双磨粒抛光单晶Si的分子动力学模拟

目的 通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理.方法 采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况.结果 对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516.随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加.仿真结果还表明,单晶Si相变原子的种类和数目随磨粒横向间距的增加而增加,随着纵向间距的增加反而减少.系统的初始温度设为298 K,抛光深度为1 nm时,抛光完成时的温度是456 K,而抛光深度为3 nm时,温度是733 K.抛光完成时,纵向组和横向组的温度仅相差30～40 K.在抛光深度、横向间距和纵向间距3个对照组中,抛光深度对亚表面损伤的影响最大.抛光深度为3 nm时,亚表面的损伤深度最大,从而导致更多的材料从单晶Si工件表面去除.结论 双磨粒的抛光深度和间距不仅对硅的表面微观结构产生影响,还对相变产生影响.模拟参数相同时,较大的抛光深度和横向间距下会产生更多的相变原子,因此相变受抛光深度的影响最大,受纵向间距的影响最小.     

因瓦合金纳米抛光材料去除机理的分子动力学模拟∗

因瓦合金作为一种独特的低膨胀材料已广泛用于航空航天等高科技领域,但目前还鲜有对其超精密加工理论和技术的研究,而纳米抛光是因瓦合金超精密加工的一种重要手段。 针对纳米抛光过程中因瓦合金的材料去除机理,基于分子动力学模拟研究抛光速度对材料去除效率、亚表面损伤和抛光表面平整度的影响。 通过对磨屑、能量、抛光力、位错运动等方面的分析揭示因瓦合金的变形损伤机制。 研究结果表明:材料去除效率随着抛光速度将达到一个临界值,当抛光速度低于 100 m/ s 时,磨削热促使位错形核,亚表面损伤厚度增加;当抛光速度高于 100 m/ s 时,应变速率急剧增大导致位错运动受限,使得亚表面损伤厚度得以降低。 为实现因瓦合金高效率和低损伤加工机制提供理论依据和技术支持。     

对轻质砖在烧成过程中鼓泡问题的探讨

本文主要探讨利用抛光废渣工业化生产轻质砖时,产品容易产生鼓泡缺陷的问题。讨论了鼓泡产生的原因,并通过试验确定了影响鼓泡的主要因素。结果表明:水分含量、砖坯厚度、细粉含量是影响轻质砖鼓泡的主要因素。     

一种柔光抛釉砖的制备方法

本文介绍了柔光抛釉砖的生产工艺流程,重点介绍了制备方法中的底釉配方、柔光釉配方、烧成制度和抛光工序这四个关键技术,通过以上几个关键技术的综合得到的柔光抛釉砖产品光泽度为15~35,漫反射光柔和舒适、产品手感细腻平滑、耐磨性高、防污性能最优。     

自动式圆形弯管内表面精密抛光装置设计

为了解决弯管内表面精密抛光困难的问题,设计了一种弯管内表面自动抛光装置。该抛光装置总体结构由抛光头、绕线机构、传动机构、夹紧机构以及连接机构等部分组成。整个装置与圆截面弯管零件连成一容腔,可向零件内腔充入用于对零件内表面进行抛光加工的抛光液,控制器控制步进电机带动两端的绕线装置工作,从而实现对弯管内表面的精密抛光加工。利用软件Fluent进行流体仿真,仿真结果表明:流体出口的流速很高,使旋转喷射抛光作用发挥得较好,能够很好地对圆形截面弯管内表面进行抛光加工。