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61.
晶片材料的超精密加工技术现状 总被引:4,自引:0,他引:4
文章介绍了晶片材料的超精密加工设备以及几种典型晶片材料加工工艺的最新发展 ,综述了几种典型超精密加工设备的特点以及单晶硅片、石英晶体、K9玻璃、钽酸锂单晶材料的加工工艺方法 ,探讨了晶片材料的超精密加工技术的发展趋势。 相似文献
62.
目的解决传统平面环抛过程中存在的两种问题:(1)抛光液受抛光盘和工件旋转离心力作用而抛光液在加工区域分布不均,导致加工工件高平面度差;(2)抛光液受到的离心力作用限制了抛光盘转速,导致抛光效率低。方法提出一种基于介电泳效应的平面抛光方法(DEPP),在抛光区域增加一个非均匀电场,利用中性粒子在非均匀电场中极化后受介电泳力的作用,使其具有向电极和抛光区域中心运动的现象,降低旋转离心力对抛光液的甩出作用,实现对平面工件的高速、高精度抛光。采用有限元分析软件数值模拟极化后磨粒所受介电泳力对离心力的抑制作用,优化产生非均匀电场的不同电极宽度,得到最优非均匀电场电极分布参数,实际测量优化电极后抛光液所受介电泳力的大小和方向,最后搭建试验平台验证介电泳效应高速抛光平面工件的有效性。结果提高抛光盘转速,进行抛光磨砂玻璃对比实验,加工1 h以后,采用介电泳效应抛光能完全去除玻璃磨砂层,工件平整度好,最终RMS值为0.276λ;无介电泳效应抛光后,工件中心部分磨砂层仍有存在,工件平整度相对较差,最终RMS值为0.694λ。通过测量加工去除量,介电泳效应抛光比无介电泳效应抛光的去除率提升了18%结论通过仿真模拟和实验验证,证明了调整电极布置形式以及优化电极分布参数后,介电泳效应高速平面抛光的方法能够有效提升抛光效率和抛光后工件表面平面度。 相似文献
63.
蓝宝石晶片纳米级超光滑表面加工技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出以蓝宝石塑性磨削和化学机械抛光为主要手段,以原子力显微镜为主要检测工具,来制备满足光电子领域要求的纳米级超光滑蓝宝石晶片的新方法。在高刚性磨床上,用W7的金刚石砂轮以f=1μm/r进给量,实现了蓝宝石晶片的浅损伤塑性域磨削。配制了以SiO2溶胶为抛光料的监宝石晶片专用抛光液,稳定地获得了无损伤层的RMS小于0.2nm的超光滑蓝宝石晶片表面。GaN外延生长所需蓝宝石晶片的合理抛光参数是:SiO2的粒子直径为7nm、浓度为3%、pH=11、压力P=200Pa。 相似文献
64.
本文利用扫描电镜发现大理石抛光表面存在有微米级的不同于大理石母材的变质层。进而利用透射电镜证明:该变质层是由非晶和微晶组成的。它的产生有助于提高大理石抛光表面的光泽度。 相似文献
65.
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67.
68.
凸光学元件在磁流变抛光区域的几何特性对制造高精度、高表面完整性光学元件有重要影响,凸光学元件曲率、嵌入深度与角度的变化将引起磁流变抛光区域压力场的变化。为了研究凸光学元件不同的曲率、嵌入深度与嵌入角度下抛光区域的压力场,首先通过建立磁流变抛光过程中压力模型,对抛光区域的压力进行分析;其次基于Kahan数值方法建立了多场耦合积分的快速计算方法。最后,计算凸光学元件在不同曲率、嵌入深度及角度下得到磁流变抛光区域压力场分布,研究凸元件在磁流变抛光区域受几何特性影响的工艺规律;得出结论:在磁流变抛光过程中通过改变凸光学元件曲率、相同曲率下的嵌入深度以及角度的情况下,当加工凸元件曲率增大时,磁流变抛光区域压力场会随之增大;当凸元件曲率一定、嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光区域压力场会增大;当凸元件曲率一定、嵌入角度增加时,磁流变抛光区域压力场会随角度先增大再减小。 相似文献
69.
设计了一种适用于大长径比异形截面直通道孔腔抛光的振动抛光装置,分析了振动系统的幅频特性,了解了影响抛光装置振幅的主要参数。 相似文献
70.
PowerMILL是英国Delcam公司开发的面向通用加工的一款3~5轴高端CAM软件,目前在中国地区有超过2000家的用户在使用,全球有近40000家用户。它功能强大,易学易用,可快速、准确地产生能最大限度发挥CNC数控机床生产 相似文献