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使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
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一种通用型的目标数据仿真 总被引:5,自引:1,他引:4
给出了一种通用型的雷达目标模拟器 ,它能够方便直观的产生各种特征的三维目标轨迹 ,可实时离散出目标点迹 ,为雷达数据处理及精度分析提供数据来源。目标轨迹由一组特征点定义 ,修改方便 ,应用灵活 相似文献
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MMS作为移动通信运营商最近推出的一类业务新品.受到了众多国外手机厂商的热情追捧。MMS在国内市场的成长空间有多大?手机厂商的对策是什么?本文试图运用SWOT战略分析矩阵及三点效用模型对MMS手机的市场进入机会及厂商的营销策略进行研究,旨在探讨MMS在中国市场的成功运营之道。 相似文献
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利用流体法研究了对45钢铁素体及奥氏体作氮碳共渗处理的工艺;为便于比较,同时对45钢进行了淬火+低温回火处理。通过金相观察,显微硬度和X射线衍射分析,测定了两种氮碳共渗系数及耐磨性能,并使用轮廓仪测定了试样表面的粗糙度。结果表明,奥氏体氮碳共渗后试样表面的化合物层由两层组成,表层为Fe3N次表层为富含氮、碳的马氏体及奥氏全;而经铁素体氮碳共渗处理的试样,其表面的化合物层只有一层(由Fe3N及少量的 相似文献
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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献