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31.
黑豆经浸泡、打浆、杀菌等处理后,制成黑豆乳,接种乳酸菌进行发酵实验。结果表明:经乳酸菌发酵后的黑豆乳,除具有一般乳酸产品所共有的适口酸味外,还具有黑豆特有的香气。但产物酸度偏低。  相似文献   
32.
RFCC汽油质量波动因素分析及对策   总被引:1,自引:0,他引:1  
蔡明件 《河南石油》2002,16(3):56-58
随着RFCC掺渣比的提高和原料碳含量的增加,原脱臭工艺技术无法满足产品的质量要求。通过分析RFCC脱溴汽油质量波动的原因,提出了从优化原料性质、操作参数和改变工艺方法等方面改进汽油质量,认为Merox抽提塔与固定床无碱脱臭技术相结合可提高硫醇脱除率,提高产品质量,满足汽油产品的质量指标,并具有显著的经济效益。  相似文献   
33.
34.
Dy3+激活的几种硼酸盐在VUV-VIS范围的光谱性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
赫泓  梁宏斌  王淑彬  苏锵  陶冶  巨新  侯雪颍 《核技术》2002,25(10):783-787
本文报道了SrAl2B2o7:Dy^3 、BaAl2B2O7:Dy^3 、SrAl3BO7:Dy^3 、La2CaB10O19:Dy^3 的紫外-真空紫外(UV-VUV)激发光谱和UV激发下的发射光谱。根据发射光谱讨论了Dy^3 离子在这几种基质中发光的黄蓝比(Y/B)。在VUV激发光谱中推测了Dy^3 的f-d跃迁及电荷迁移态(CTS)和基质吸收的位置。  相似文献   
35.
介绍了荆门石化重整装置氯腐蚀的情况及及选用西北化工研究院T408型脱氯剂所取得的效果。  相似文献   
36.
理想收敛理论的非标准刻画   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了用非标准分析方法进一步研究拓扑空间,在扩大模型下,对理想收敛的基本理论进行了非标准刻画:设X是拓扑空间,I是X中的理想,I收敛于点x,当且仅当v(x)包含v(I).给出了理想的极限点和聚点的非标准特征,利用极限点对闭包进行了非标准描述,并讨论了理想收敛与伴随网收敛的相互关系.  相似文献   
37.
工程机械设备租赁这几年在我国发展较快,各种性质的租赁公司都比较多,租赁设备的客户也很多,国营、集体、个人等各种身份的;同时,这几年我国经济发展迅猛,新开工及在建的基础设施类工程项目很多,导致机械设备需求大,相应也面临着资金紧张等问题.各种因素的揉和,导致在设备租赁中产生一些问题和矛盾.  相似文献   
38.
This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device (S-SEED), and applies the Kirchoff' s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED's switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED's voltage-time (V-T) and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED's switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED's switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED's switch characteristics.  相似文献   
39.
综述了硫酸锆,碳酸锆产品的性质,生产技术及应用,收集整理了国内外部分厂家和公司该产品的化学指标与生产技术;介绍了“分步液相沉淀法”生产工艺,与“一步法”生产工艺相比,其具有流程短,投入少,操作简单,制造成本低等优点。  相似文献   
40.
锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。  相似文献   
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