N掺杂和氧空位对PbTiO3电子结构和导电性的影响研究

用第一性原理计算了P型N掺杂PbTiO3的电子密度差分、能带结构和态密度,讨论了氧空位对N掺杂PbTiO3性能的影响。在PbTiO3中掺杂N杂质后,PbTiO3的价带向高能级发生移动,费米能级进入价带顶部,带隙变窄,N掺杂PbTiO3表现出典型的P型半导体性能。当N掺杂PbTiO3中含有氧空位时,导带发生下移,受主被完全补偿。计算结果与实验数据相吻合。     

平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计

不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。从能带结构和传输谱上给出了该器件负微分电阻特性的理论解释,并由器件的输出特性得到了验证。在此基础上对器件的隧穿工作机理做出了探讨。该场效应管在一个器件上实现了多个负微分电阻区域,可应用于多值逻辑电路设计。     

GaN HFET中的陷阱和局域电子气

研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。     

（100）应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响

采用第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（100）面在晶格发生100％～116％张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96％～100％压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88％～96％压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88％后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.     

有机薄膜电致发光器件的研究

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率.最后概述了器件的最新进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向.     

有机电致发光器件的研究进展

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率。最后概述了器件的技术进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向。     

氨基-1,2,4-三唑-5-酮的分子结构和晶体能带结构的理论研究

应用阿姆斯特丹(ADF)的密度泛函理论(DFT)方法对4-氨基-1,2,4-三唑-5-酮(ATO)进行了几何优化和频率计算,通过变换基组和相对论效应,对所得结果进行了比较.提供了计算所得的几何构型参数、原子间Mayer键级、原子净电荷和前沿轨道能量及组成.比较发现在ADF程序中基组对计算结果影响较大,采用TZP基组与实验相符最好.运用晶体场理论计算了ATO的晶体能带结构和态密度,其性质接近绝缘体.     

可执行性的意义

好创意能带来好生意,或者说,能带来好生意的,才称得上是好创意。但是,好创意一定是由市场检验出来的,其关键就在于必须要坚定地执行。[编者按]     

Z型Ag2CO3/BiOCl异质结光催化剂的制备及其可见光催化机理分析

通过溶剂热法制备BiOCl纳米片,共沉淀法制备Ag2 CO3和复合催化剂Ag2 CO3/BiOCl,研究各材料可见光催化降解罗丹明B的效果,确定Ag2 CO3与BiOCl的最佳配比,并通过表征分析复合材料的结构和异质结光催化降解机理.结果表明,当Ag2 CO3与BiOCl的质量比为50％时,Ag2 CO3/BiOCl异...