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光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生 相似文献
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本文通过对基体及焊层材料线膨胀系数及焊层表面应力的测试,阐述了热喷焊层残余应力产生的原因主要与第一、二次冷却过程有关,表面冷却速度是影响焊层表面应力的关键因素,分析了表面应力对焊层热疲劳性能的影响,焊层表面残余压应力对焊层抗热疲劳性有利。 相似文献
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针对目前广西施工现场对材料取样送检管理存在的几个突出问题,提出加强管理措施,保证结构工程质量。 相似文献
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本文讨论了静电充电的技术(方法)和机理,并介绍新近开发的对熔喷PP纤网静电充电以提高空气过滤效率的情况。 相似文献
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