窄隙Hg_(1-x)Cd_xTe(0.2

石世范 《红外与激光工程》1993,(2)

过程实例跃迁正确性判定准则研究

过程模型的动态更改会引起运行中的过程实例向更改后的过程模型跃迁,必须保证过程实例跃迁后运行的一致性。由于多分支结构的影响,不同过程实例的跃迁条件不易确定。研究了过程模型更改机制,通过删除、插入、修改三类元更改操作构造更改域。将过程执行历史能否重放作为过程实例跃迁正确性的判定准则,提出一种高效的过程实例精确跃迁条件评判方法,可以确定拥有不同路由结构、不同运行状态的过程实例的跃迁策略。该方法能适应多分支的过程模型,灵活性高,便于实现过程模型动态更改和实例跃迁的自动化。     

立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.     

立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.     

超二代像增强器多碱阴极电子逸出机理研究

测量了超二代像增强器多碱阴极的光谱反射率和透射率,计算了多碱阴极的光谱吸收率.从光谱吸收率看出,当波长大于850 nm 以后,多碱阴极的吸收率下降很快,但当波长大于915 nm 之后,吸收率的下降变慢,同时吸收率低于5%.这说明多碱阴极的 Na2KSb 膜层存在一个915 nm 的长波吸收限,入射光的波长如果大于该吸收限,多碱阴极将不吸收.多碱阴极在吸收光子之后的电子跃迁过程中,跃迁电子的能量增加小于所吸收的光子能量,即存在“能量损失”.光子的能量越高,跃迁电子的能级越高,能量损失越大.超二代像增强器 Na2KSb 阴极膜层在 Cs 激活之后,荧光的峰值波长向短波方向移动,发生“蓝移”现象,表明多碱阴极 Na2KSb 膜层在进行表面 Cs 激活之后,跃迁电子的能级有所升高.多碱阴极无论是单独采用 Cs 激活还是采用 Cs、Sb 同时激活,光谱响应的长波阈值基本相同,但光谱响应却不相同,原因是采用 Cs、Sb 同时激活时,Na2KSb 阴极膜层存在“体积”效应.由于 Na2KSb 阴极存在长波吸收限,对应的光子能量为1.35 eV,因此如果多碱阴极的逸出功进一步降低并且低于1.35 eV 时,尽管多碱阴极的光谱响应会进一步提高,但光谱响应的长波阈并不会向长波方向延伸,此时多碱阴极光谱响应的长波阈值由其长波吸收限所决定.     

多碱光电阴极光电发射过程研究

论述了多碱阴极及光致荧光的特点,测量了多碱阴极在514.5 nm和785 nm波长激光激发条件下的荧光谱.结果表明,多碱阴极在514.5 nm波长激光激发条件下,荧光峰值强度比785 nm波长激光激发条件下荧光峰值强度强40倍,说明514.5 nm波长的电子跃迁几率低于785 nm波长的电子跃迁几率,同时514.5 nm波长激光激发的荧光峰值波长为860 nm,而785 nm波长激光激发的荧光峰值波长为870 nm,514.5 nm波长激光激发的荧光峰值波长与激发光波长的偏移为345 nm,而785 nm波长激光激发的荧光峰值波长与激发光波长的偏移仅为85 nm,说明514.5 nm波长激发的跃迁电子的能量损失远大于785 nm波长激发的跃迁电子的能量损失.原因是短波光子的能量较高,所激发的跃迁电子来源于较深能级,因此能量损失较大.多碱阴极的量子效率在2.11 eV 达到最大,当光子的能量大于2.11 eV以后,由于跃迁电子的能量损失随光子能量的增加而增加,因此多碱阴极的量子效率随光子能量的增加而减小.多碱阴极的量子效率与电子跃迁几率成正比,但实测的量子效率曲线与电子跃迁几率曲线的峰值波长不一致,原因是随着光子能量的增加,跃迁电子的能级也增加,当电子跃迁的几率达到最大并下降时,尽管跃迁电子的几率减小,但因电子跃迁的能级还在提高,因此量子效率仍在增加.只有当跃迁几率的因素超过能级的因素以后,量子效率才随光子能量的增加而减小,因此造成量子效率曲线的峰值波长与跃迁几率的峰值波长不一致.通过多碱阴极光致荧光谱的分析,揭示了多碱阴极电子跃迁过程中的客观规律,解释了多碱阴极量子效率在达到最大值之后,量子效率随光子能量增加而减小以及多碱阴极量子效率存在短波限的原因.     

Na2KSb光电阴极与GaAs光电阴极比较研究

测量了三代像增强器和超二代像增强器的阴极光谱反射率,结果表明在500~800 nm波长范围内,GaAs阴极的平均光谱反射率仅为6.5%,而Na2KSb阴极的平均光谱反射率却高达22%.采用减反技术之后,Na2KSb阴极的平均光谱反射率降为10%,与GaAs阴极相比还有一定的差距,因此还有进一步改进和提高的空间.测量了三代像增强器和超二代像增强器光电阴极的荧光谱,结果表明在785 nm波长激光的激发条件下,GaAs阴极的荧光谱峰值波长与Na2KSb阴极的荧光谱峰值波长基本相同,但荧光谱半峰宽和峰值强度却区别很大.说明GaAs阴极和Na2KSb阴极在吸收785 nm波长光子后,所激发的电子跃迁的能级基本相同,但跃迁电子的数量区别却很大.GaAs阴极荧光谱的半峰宽较窄,说明GaAs阴极的晶格较Na2KSb阴极的晶格更完整.当Na2KSb阴极的膜层厚度从180 nm变为195 nm之后,由于跃迁电子距真空界面的距离增大,因此导致短波的量子效率减小.尽管膜层厚度加厚,长波光子的吸收更充分,但因受到电子扩散长度的限制,长波量子效率仅仅略有增加.这说明Na2KSb阴极的电子扩散长度远远小于GaAs阴极的电子扩散长度.GaAs阴极表面吸附 Cs-O 层之后,表面电子亲和势会降低,而多碱阴极表面吸附 Cs-Sb 层之后,不仅表面电子亲和势会降低,而且跃迁电子的能级会提高,跃迁电子的数量也会增加,这说明多碱阴极在进行表面 Cs 激活之后,阴极膜层内部的能带结构发生了变化.所以要提高多碱阴极的灵敏度,除了要控制好表面的Cs激活工艺之外,还需要控制好Na2KSb基础层的结构.只有一个结构良好的Na2KSb基础层,在Cs激活之后,能带结构的变化才会有利于跃迁电子能级的提高.     

光泵NH3分子亚毫米波激光的喇曼过程相互增强与竞争

当用强脉冲ＣＯ２－９Ｒ谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程的竞争，一些过程得到增强，另一些过程被削弱。     

自限跃迁型CuBr激光等离子体电子温度和电子密度

在一台CuBr脉冲激光器上,在不同的工作条件下,观测了时间分辨的氢原子H_a、H_β谱线强度。采用文献[3]所介绍的方法,应用计算机数值模拟H_α、H_β谱线强度,得到了不同工作条件下的时间分辨的电子温度和电子密度,讨论了它们对激光行为的影响。