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211.
212.
用透射比、光电导和发光光谱术研究了Hg_(1-x)Cd_xTe近带边缘的光学及光电特性,给出了能隙E_g上部和下部吸收系数的经验表达式,讨论了E_g(Urbach尾迹)以下的跃迁的物理性质,并对由合金无序及浅能级所引起的效应作了判别。 相似文献
213.
214.
215.
本文从速率方程出发,对腔内吸收盒充低压纯甲烷和大气压甲烷-空气混合气两种情况下,He-Ne激光器3s_2→3p_4和3s_2→3p_2两条跃迁谱线的竞争作了定量分析,得出双波长振荡所满足的条件,并划分出单波长和双波长振荡区。设计了新的腔结构,使转换效率高达70%以上。 相似文献
216.
纳米微晶SnO2薄膜的制备和光学性能的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
以无机盐为原料制备得到纳米微晶SnO2薄膜。由透射比曲线计算发现,随热处理温度的升高,薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明,掺Ti的SnO2薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁,随晶粒尺寸的减小,间接带宽增大。 相似文献
217.
218.
本文利用迫近递推法(ATM),用准静态近似,以较高的精度模拟实际的带边形状,自治地计算了中等强度电场下,第Ⅰ类 GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As半导体多量子阱的载流子能级和波函数,并由此计算了多阱系光跃迁的吸收系数.结果表明,正如Bleuse等用紧束缚模型所预言的,电场导致了能级的等间距分布,载流子波函数的局域化以及对应于不同能级的波函数之间的平移关系.本文的方法可用于计算有复杂形状带边的半导体异质结构的载流子性质. 相似文献
219.
黄钢明 《武汉化工学院学报》1995,17(1):72-74
用直接计算矩阵元方法和计算碰撞相移方法计算了电子在中性si原子势场中的自由-自由跃迁吸收截面。 相似文献
220.