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利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。提出了一种新的俄歇信号强度标定法——频域法。该方法利用低能俄歇电子较低的逸出深度,在复频域内标定来自最表层原子的俄歇信号强度,避免了二次电子本底和电子逸出平均自由程的影响,从而可以准确判定在界面这种突变结构中元素成分的深度分布信息。利用谱峰修正技术,研究了Ga、As、Si价带跃迁几率在界面不同深度内的变化情况,发现在界面处As-Si有明显的成键作用,Si原子的一部分p电子转移到了As原子空的p轨道中,由此产生了一个新的界面态,该界面态位于GaAs价带顶上方2eV的地方。在对Ga原子价带俄歇跃迁几率进行的研究中,并未发现其价电荷分布有明显的变化,表明Ga原子与其他原子在界面处并未发生明显的成键作用。 相似文献
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以往的激光器是由束缚电子的能级跃迁而产生相干辐射的。近几年发展起来的自由电子激光器,由电子的动能直接转化为相干辐射,是产生相干辐射的新技术,新途径。具有高教率,可调谐及可能获得大功率相干辐射等一系列优点。本文综述近年来这一领域中实验和理论的进展。 相似文献
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提出了MyosinV三态随机跃迁不等距定向运动的理论模型,得出漂移速度V、扩散系数D并将二者随ATP浓度及外力F的变化进行了曲线拟合,[ATP]不变的情况下速度与力关系的理论值与实验值吻合,定性的分析了MyosinV在不同ATP浓度下拖动负载运动时的动力学行为. 相似文献