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101.
压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外  相似文献   
102.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。  相似文献   
103.
采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能.  相似文献   
104.
退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。  相似文献   
105.
要达到清除污染物粒子的预期效果,必须正确的设计和选用过滤设备。而在确定过滤设备时,必须了解下列参数:  相似文献   
106.
通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃-陶瓷动态疲劳(恒应力速率)试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析,发现这种现象与材料的阻力特性(R-curve)密切相关。确立的σ_f-σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_f-σ在双对数坐标下为负斜率直线,直线斜率为(m为阻力曲线KR=k(△a)~m的指数),断裂主要由材料阻力行为控制;低应力速率区,σ_f-σ在双对数坐标下为正斜率直线,直线斜率为 (n为应力腐蚀指数),断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法,分别用这种方法及压痕/弯曲方法对一种可切削玻璃-陶瓷的阻力特性进行了实验测定,两种方法所得结果有很好的一致性。  相似文献   
107.
108.
拓扑选择和网络布线是网络设计和实现中的一个重要方面,好的拓扑结构和布线系统不仅具备高可靠性,还有很好的可管理性和可维护性。本文谈谈光纤与双绞线电缆的主要特性、测试方法和选用原则,希望对网络管理人员有所帮助。  相似文献   
109.
本文在液相合成(SrPb)TiO3粉的基础上,研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对(SrPb)TiO3基陶瓷的V型PTC热敏特性的影响。实验表明:升温速率对其热敏特性影响不大,保温时间和烧结温度的作用是一致的,具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响,本配方中,样品的烧结制度定为:以200℃/h的速率升温,在1250℃保温1h,炉冷至950℃,保温0.5h,再  相似文献   
110.
文章介绍了大屏幕彩电常用的超重低音电路,包括它的工作原理、电路结构及主要特性。  相似文献   
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