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基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
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介绍了GaAs MMIC高台面刻蚀制备工艺方法,解决了高低台面联线问题,提高了单片集成电路性能,保证了可靠性。 相似文献
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从本期起,为配合中国计算机学会、本刊编辑部、北京市单片机应用技术协会联合开展“学装微电脑”的制作活动,将陆续介绍DP—851单片计算机基本系统的组成与制作,以及在它的基础上发展而成的教学实验系统和开发系统。通过亲身实践和更深入的学习,您将能把单片计算机应用于实际工作中。 相似文献
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集成运算放大器应用技巧(五):第五讲:单电源运放应用技巧 总被引:1,自引:0,他引:1
张国华 《电子制作.电脑维护与应用》1994,(6):41-43
集成运放一般都是在对称的正、负电源下工作的,典型值为±15V。在只有单电源的场合,运放能不能工作呢?答案是:在一定条件下是可以的。如图1所示交流放大电路,图1(a)采用±15V供电,U_1为正弦信号,放大倍数为-10。图1(b)为单电源 30V供电,处理的办法是利用两个相等的电阻将本应接地的同相输入端接到 30V的中点电位。即 相似文献
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柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征 总被引:13,自引:3,他引:10
根据岩心描述、薄片观察、X-CT扫描以及钻井、测井等资料,研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄-窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征,分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用,认为储集层裂缝有3种基本类型,即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂,主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系,裂缝的形成主要有3个期次,其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明,裂缝是柳沟庄-窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。 相似文献