CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察

本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积（ＣＶＤ）法生长金刚石膜，在Ｓｉ及ＷＣ－Ｃｏ硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异，经适当表面处理及选择合适的工艺条件，当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜，衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Ｒａｍａｎ谱分析表明此膜仅具有特征金刚石１３３２ｃｍ￣（－１）峰，通过ＳＥＭ观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长，并与衬底有良好的联结。     

金刚石双心取心钻头首次试验获得成功

川石·克里斯坦森公司根据川中矿区的需要,设计、制造了?152mm(6in)C201B双心取心钻头,经角57井在3025~3066.48m井段连续取心3次,岩心收获率为98.48%,井径扩大率为7.5%,与普通取心钻头和牙轮钻头相比,井径扩大率提高了6.47个百分点,符合设计要求。     

金刚石薄膜制备和评价

采用平直钨丝作热解源,并借助钨丝支架的弹性恢复力,较好地解决了热丝热解化学气相沉积法(HFCVD)合成金刚石过程中热解丝的变形问题.样品独立加热,基片温度、钨丝温度、钨丝与样品基片距离均可独立调节.装置改进后,在Si(100)上合成了面积大约45mm×25mm的比较均匀的金刚石膜.用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱和X射线衍射仪对制备的金刚石膜进行了分析.     

扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

用发射天线式微波等离子体CVD装置沉积大面积金刚石薄膜

在国内首次研制成功了高气压发射天线式微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜装置，用该装置成功地在３英寸的单晶硅衬底上沉积了Φ７０ｍｍ的金刚石薄膜。这一成果填补了国内空白，对我国金刚石薄膜研究领域的设备更新换代和开发应用具有重要意义。     

CN1733442钻石光纤切割刀加工设计方法

本实用新型属于无机非金属材料领域，特别涉及一种应用在对金刚石膜片进行热化学抛光加工时所采用的夹持装置，尤其适于要求夹具做旋转运动的工况下使用。抛光夹具由齿轮（1）、键（2）、夹套（3）组成；夹套（3）放入齿轮（1）中，用键（2）连接。使用时将金刚石膜片置人夹套之中，金刚石膜片与夹套间无固定约束，键与金刚石膜之间根据需要加不同重量的金属块，对金刚石膜施加载荷，齿轮和键同时作为载荷施加在陶瓷夹套上，保证陶瓷夹套和抛光盘紧密接触，减少夹具与抛光盘之间的空隙，