KNC HR880

配备更快更大的内存，是提升笔记本游戏性能最经济有效的手段，金士顿的DDR2.667就是有力武器之一。金士顿DDR2 667 SODIMM规格为200针脚，采用FBGA（劝密球型网数组）封装方式。工作电压为1.8伏。     

可为新的DRM接收机提供基带处理的新型BLACKFIN处理器

美国模拟器件公司（ADI）生产的的BLACKFIN处理器具有基带处理能力，同时具有处理多个音频标准的灵活性。由于新的DRM接收机标准要求音频解码器具有高质量音频MPEG4 AAC＋（包括SBR）、高质量语言编码CELP，以及低比特速率语言编码的HVXC等三个特性要求。而BLACKFIN处理器可以处理多种解码器。因此，新型BLACKFIN处理器可显著降低材料成本，同时可满足DRM标准的鲁棒性要求。     

FR-4生产的材料消耗控制

本文主要从降低成本的角度，对FR-4生产的过程控制方面简要阐述了各种材料的消耗控制。     

溶胶-凝胶法制备Na_2WO_4~-Mn/SiO_2催化剂及其甲烷氧化偶联反应性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备了一系列5%Na2WO4-2%Mn/SiO2催化剂;用XRD、XPS、BET、O2-TPD和CO2-TPD等方法对催化剂进行了表征,并考察了对甲烷氧化偶联反应的催化性能。结果表明,与常规浸渍法相比,采用溶胶-凝胶法制备的Na2WO4-Mn/SiO2催化剂中W和Mn的原子浓度在催化剂表面和体相分布较为接近,而且两种制备方法所得的催化剂具有相似的催化性能,Na2WO4与α-方石英之间的相互作用,催化剂释放晶格氧的能力,碱性强弱是影响甲烷氧化偶联活性的关键因素。     

HB-3、HB-4型钴钼触媒升温硫化总结

总结了HB - 3,HB - 4型钴钼触媒升温硫化过程及注意事项 ,简单介绍了使用情况 ,并针对出现的问题采取了一定措施     

Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

DIRECTV选中Broadcom的MPEG-4／AVC芯片

Broadcom（博通）公司（Nasdaq：BRCM）作为一家有线和无线宽带通汛半导体产品的全球领先厂商，于2006年1月5日在内华达州拉斯维加斯2006国际消费电子展会（CES）上发布了自己的MPEG-4／AVC芯片。这款芯片具备新型视频压缩功能，已经作为DIRECTV的数字高清电视（HDTV）机顶盒的核心技术．