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22.
砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。 相似文献
23.
24.
PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。 相似文献
25.
本文简述了从低品位钴渣中回收钴的生产实践,找出了影响钴回收率的主要因素.重点介绍了所采取的相应措施。使钴冶炼回收率达到80%以上。同时还提出了正待改进的方面。以进一步提高钴冶炼回收率。 相似文献
26.
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
27.
28.
对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理,吸收光谱显示基础吸收边紫移,480nm波长附近出现一明显吸收峰,这是由空位色心V0和Nb^4+缺陷引起的,Nb^4+的存在进一步被EPR实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。 相似文献
29.
根据碳酸锰矿酸浸试验结果和早先得到的动力学模型,在以下几个方面应用于工程上:计算宽粒度范围多粒子体系(实际上为工业矿浆)总转化率的求和方法;估计不同操作体系(如间歇搅拌浸出,顺流或逆流连续搅拌反应槽(STR)中浸出转化率的整套计算程序以及决定浸出工艺最佳条件的最低投资成本和作业成本模型。 相似文献
30.