Littman光栅外腔可调谐Yb3+双包层光纤激光器

本文对LD泵浦的光栅外腔可调谐双包层Yb3 光纤激光器进行了实验研究．采用Littman外腔结构，研究了Yb3 光纤激光器的调谐特性．输出激光调谐范围42nm，谱线宽度0．08nm，最大输出功率达到了460mW，斜率效率约30％．并对其输出光功率随波长的变化进行了观测和分析．     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

VCSEL的发展现状和市场应用

近年来由于高速光网络的快速发展，使人们对一种新型的半导体激光器——垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注，已成为研究开发的热点。本介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势，以及近期出现的新技术和封装手段，详细叙述了各波段VCSEL所用的材料、技术、市场应用。最后简述了VCSEL基光收发机的市场状况。     

角馈双极化微带贴片天线的辐射特性和极化特性研究

本文采用腔模理论导出了角馈双极化微带贴片天线的方向图表示式，并在此基础上分析了该天线的极化特性。结果表明角馈双极化微带贴片天线的两个不同极化并非处处正交，而是在有用的主瓣角度范围内，两个极化是接近正交的，而且采用多端口网络理论计算两馈电端口间的隔离度仍然大于20dB，因此角馈双极化微带天线能够用于极化分集接收。     

一种温湿度测控电路芯片的研制

提出了一种运用混合信号的温湿度测量控制电路的设计方案。通过温湿度传感器的电阻变化来检测温湿度的变化,运用RC振荡原理,把传感器的电阻值转换为频率信号,并使用一片ROM把频率信号映射为实际的温湿度,从而实现温湿度的测量。在芯片设计中,详细考虑了如何进行综合的优化设计。芯片的温度测量范围为-20～60°C,精度为±1°C;湿度测量范围为40%RH～90%RH,精度为±10%RH。芯片测试结果表明,该电路功能正确,性能良好,各项指标均达到预定目标。     

新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。     

铜蒸气激光器种子注入光腔的参数计算

用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。     

全光波长转换技术的改进和发展

全光波长转换技术(AOWC)对WDM光网络的发展有着重要的意义，在简单回顾传统AOWC的基础上，介绍了三种较新的波长转换技术，阐述了其工作原理，简要说明了其实检进展及优缺点；最后讨论了全光波长转换器的发展方向。     

AlxGa1-xAs选择性湿法氧化技术的研究

详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2mW,激射波长为978nm,工作电流为15mA。     

无后向反射镜的SBSYAG激光器实验研究

对无后向反射镜SBS调Q的YAG激光器做了实验研究。在对透镜焦距、池子长度、聚焦位置优化后,当重复频率分别为1Hz和5Hz时,得到了稳定的高质量激光输出。