Fast,Scalable Synthesis of Micronized Ge3N4@C with a High Tap Density for Excellent Lithium Storage

Nanostructuring has significantly contributed to alleviating the huge volume expansion problem of the Ge anodes. However, the practical use of nanostructured Ge anodes has been hindered due to several problems including a low tap density, poor scalability, and severe side reactions. Therefore, micrometer-sized Ge is desirable for practical use of Ge-based anode materials. Here, micronized Ge₃N₄ with a high tap density of 1.1 mg cm⁻² has been successfully developed via a scalable wet oxidation and a subsequent nitridation process of commercially available micrometer-sized Ge as the starting material. The micronized Ge₃N₄ shows much-suppressed volume expansion compared to micrometer-sized Ge. After the carbon coating process, a thin carbon layer (≈3 nm) is uniformly coated on the micronized Ge₃N₄, which significantly improves electrical conductivity. As a result, micronized Ge₃N₄@C shows high reversible capacity of 924 mAh g⁻¹ (2.1 mAh cm⁻²) with high mass loading of 3.5 mg cm⁻² and retains 91% of initial capacity after 300 cycles at a rate of 0.5 C. Additionally, the effectiveness of Ge₃N₄@C as practical anodes is comprehensively demonstrated for the full cell, showing stable cycle retention and especially excellent rate capability, retaining 47% of its initial capacity at 0.2 C for 12 min discharge/charge condition.     

干扰反舰导弹末制导雷达方法研究

依据反舰导弹自动导引工作原理,结合多年实际训练的经验,对反舰导弹末制导雷达干扰方法进行了研究,提出了合理化见解,以适应现代高科技战争的需要,降低导弹制导精度和命中率,提高舰艇生存能力。     

太阳能多功能控氧家居系统

介绍了以STC15F2K61S2为控制核心,通过太阳能或者可充电电池供电,并采集蓝牙模块、氧气传感器、DS18B20温度传感器等传感器数据数据,然后经过处理芯片对数据进行进行数据处理及分析,将相关数据显示在12864液晶显示屏上,同时在安卓手机安装手机通信助手软件,或者结合电脑利用RS232串口与单片机进行通信,便可对家电进行相应的操作,从而实现家居智能化控制的目的.     

双站方位时差定位系统精度分析

针对测向定位精度低,时差定位需要3个接收站以及精确时统的要求,提出方位时差联合定位体制。首先建立双站方位时差联合定位数学模型,列举测量方程组,分析方位线与时差线的交会性能,并提供解析解。然后在具体的模拟场景中,绘制了定位误差的分布效果图,根据直观特征,总结了方位时差联合定位系统的误差分布规律。又从测量方程组出发,通过微分关系,推导出理论定位精度几何稀释,并分析2种特殊情形下的定位效果。最后提供3种定位体制的定位误差对比数据,对实际工程应用中的布站设计具有指导意义。     

基于SPCE061A单片机的直流电子负载的设计

直流电子负载系统采用凌阳公司SPCE061A单片机为控制核心,由信号处理模块、A/D转换模块、D/A转换模块、液晶显示模块、矩阵键盘等模块组成.它能够实现恒流、恒压、恒阻和恒功率四种工作模式.其中恒压与恒流模式为基本的工作模式,而恒阻和恒功率模式是在恒流模式的基础上实现的.本系统的主要特点就是采用LM358双运算放大器和MTY25 N60E大功率场效应管构成负载的信号处理模块,这样的信号处理模块设计能够更容易获得稳定且精确的负载信号.由于SPC E061A单片机内部集成了A/D和D/A,大大简化了电路,提高了系统的可靠性.     

基于OTN技术的大颗粒业务大连接承载模式研究

近年,各类专线业务的“大带宽、低时延、快响应”诉求愈加明显,对传送网的承载能力提出更高的要求,特别是其中N*10G 业务需求规模逐年增加, 有必要研究一套标准化的承载模式来满足业务接入的需求,以实现对业务连接的网络承载模式标准化、快速化、智能化。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

进化神经网络在激光熔覆成形中的应用研究

在激光熔覆成形金属制件工艺中,熔覆层稀释率大小对成形制件的性能以及后续工序的处理有至关重要的影响。设计了基于进化神经网络的学习算法,建立了熔覆层稀释率随工艺参数变化的预测模型,该模型结合了基因遗传算法的全局搜索能力和BP神经网络良好的局部性质。实验和模拟结果表明,基于进化计算的神经网络不仅可以克服单纯使用BP神经网络易陷入局部极小值等问题,而且预测精度较高,具有一定的实用价值。     

光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。