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81.
研制的陶瓷材料可在超低温度(1 030 ℃±15 ℃)下烧结,获得瓷料的相对介电常数高于2 100,介质损耗不高于1.5%,温度特性满足X7R特性要求标准.与传统的X7R特性材料比较,本材料烧结温度更低,同时材料中不添加Pb、Hg、Cd、Cr等有害元素,符合绿色环保要求及欧盟RoHS指令要求.  相似文献   
82.
张波  王珏 《半导体光电》1995,16(4):355-359
对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量,并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察,研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。  相似文献   
83.
利用模拟烟火药在定容、密闭条件下的数值计算方法,开发了1种以新型还原剂、硝酸钾为主的新型无硫烟花发射药配方。对该发射药的安全性能及使用性能进行测试,结果表明新型发射药的撞击感度、爆发点及静电感度安全性能均优于传统黑火药,且其压力上升速度、做功能力大于传统黑火药。  相似文献   
84.
The charge generation mechanism of organic heterojunction (OHJ) consisted of 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN) and different hole transporting materials (HTMs) are studied systematically by current-voltage (I–V) and capacitance-voltage measurements. The analysis of I–V characteristics of the devices based on OHJs at forward and reverse voltages by comparing the thickness of HTM layers finds that a forward and reverse symmetrical I–V curve is observed at thin HTM layers and the forward current becomes larger than the reverse current with the increase of HTM thickness, fully illustrating the effectiveness of OHJ charge generation. Moreover, the I–V characteristics at different temperatures indicate that the efficient charge generation is originated from electron tunneling rather than diffusion. And the C–V and capacitance-frequency (C–F)characteristics further illustrate the highly efficient charge generation ability of OHJs so that the charge density is as high as 4.5 × 1017 cm−3, guaranteeing the high conductivity of OHJs, which is very beneficial to developing highly efficient OLEDs using OHJs as charge injector and generator.  相似文献   
85.
Dye‐loaded AlPO4‐5 single crystals were prepared by microwave‐assisted hydrothermal synthesis from a batch, containing a mixture of three chromophores (Coumarin 40, Rhodamine BE50, and Oxazine 1) differing in their absorption range, molecular dimensions, and solubilities. Confocal fluorescence images reveal a spatial separation effect of the dye molecules, where the slimmer, more‐soluble dye molecule (Coumarin 40) is uniformly distributed in the body of the single crystal, and the bulky and/or less‐soluble ones (Rhodamine BE50, Oxazine 1) are situated in distinct domains. Visible spectra show good panchromatic absorption of visible light. Fluorescence lifetime measurements indicate the presence of an energy transfer cascade of the entirely fixed dye molecules from Coumarin 40 to Oxazine 1. The transfer mechanism is predominantly radiative.  相似文献   
86.
文章从技术和市场经济的角度对手机LCD背光LED驱动器的技术演变进行分析,论述了LDO的性价比为普及型手机LCD背光应用赢得新的机遇。  相似文献   
87.
利用增镀光学薄膜的方法,有效地将原来处于双模工作的1.3μmDFB激光器变为单模工作的激光器.选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用.从而改变了激光器的模式特性.实验表明,增镀光学薄膜技术可望成为改善DFB激光器单模成品率的一种辅助方法  相似文献   
88.
电荷耦合器件是一种发展前景良好的金属氧化物半导体(MOS)集成电路。该电路广泛应用于彩色成像、信号处理等相关领域。文介绍一种用CCD321型电荷藕合器件设计和实现的脉冲雷达视频积累电路,目的在于探讨使用该器件实现雷达视频积累的可行性和实际效果。实践证明,使用该器件实现雷达信号积累能有效地提高雷达的信噪比,改善雷达的检测能力,达到增加雷达的发现概率和探测距离的目的。经测试,使用该电路可使雷达信噪比可提高3.5dB。  相似文献   
89.
《Organic Electronics》2014,15(1):322-336
Controllable bistable electrical conductivity switching behavior and resistive memory effects have been demonstrated in Al/polymer/indium-tin oxide (ITO) sandwich structure devices, constructed from non-conjugated vinyl copolymers of PTPAnOXDm with pendant donor–acceptor chromophores. The observed electrical bistability can be attributed to the field-induced intra- and intermolecular charge transfer interaction between triphenylamine electron donor (D) and oxadiazole electron acceptor (A) entities, and is highly dependent on the chemical structure of the copolymers. The vinyl copolymers showed different memory behaviors, which depended on the loading of D/A ratios. The polymers containing only donor or acceptor moieties showed as insulators, the polymers containing both donor and acceptor moieties showed as WORM, flash and DRAM as D/A ratio increased. The structural effect on the physicochemical and electronic properties of the PTPAnOXDm copolymers, viz surface morphology, thermal stability, optical absorbance and photoluminescence, and molecular orbital energy levels, were investigated systematically to study the factors that influence the memory characteristics of the devices.  相似文献   
90.
电磁兼容(EMC)的接地技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文论述了电磁兼容的地线干扰产生的原理以及抑制地线干扰的各种接地技术.  相似文献   
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