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Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
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首先以 HERMLE C1200 U 为例分析了五轴铣削加工中心的基本结构,然后据此给出了涉及多轴铣削加工中心后置处理角度分配和坐标变换的数学模型,最后介绍了以此数学模型为核心,为UG 软件开发的后置处理软件 UG-HERP1.0的解决方案。 相似文献
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分子筛吸附柱和热金属镁床是手套箱气氛中氚化水 (HTO)搜集和分解处理的一种有效手段。测试了分子筛柱对气氛中水的吸附性能和热金属镁床对HTO的分解性能。结果表明 :分子筛柱对气氛中水的吸附效率 >99 99% ,在空气中水含量为 3 4× 1 0 - 3~ 4 2× 1 0 - 3条件下 ,未发现吸附柱水的贯穿现象 ;热金属镁床对HTO的分解率 >99 9% ,当金属镁的消耗量大于 80 %时 ,未见分解率明显降低。 相似文献
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K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:4,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献
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