全文获取类型
收费全文 | 10034篇 |
免费 | 684篇 |
国内免费 | 719篇 |
专业分类
电工技术 | 178篇 |
综合类 | 517篇 |
化学工业 | 3349篇 |
金属工艺 | 1169篇 |
机械仪表 | 319篇 |
建筑科学 | 220篇 |
矿业工程 | 119篇 |
能源动力 | 258篇 |
轻工业 | 495篇 |
水利工程 | 70篇 |
石油天然气 | 438篇 |
武器工业 | 49篇 |
无线电 | 1108篇 |
一般工业技术 | 1509篇 |
冶金工业 | 470篇 |
原子能技术 | 673篇 |
自动化技术 | 496篇 |
出版年
2024年 | 23篇 |
2023年 | 146篇 |
2022年 | 236篇 |
2021年 | 235篇 |
2020年 | 266篇 |
2019年 | 259篇 |
2018年 | 195篇 |
2017年 | 282篇 |
2016年 | 322篇 |
2015年 | 316篇 |
2014年 | 374篇 |
2013年 | 486篇 |
2012年 | 505篇 |
2011年 | 647篇 |
2010年 | 584篇 |
2009年 | 528篇 |
2008年 | 492篇 |
2007年 | 675篇 |
2006年 | 612篇 |
2005年 | 488篇 |
2004年 | 436篇 |
2003年 | 427篇 |
2002年 | 447篇 |
2001年 | 411篇 |
2000年 | 376篇 |
1999年 | 304篇 |
1998年 | 199篇 |
1997年 | 186篇 |
1996年 | 158篇 |
1995年 | 145篇 |
1994年 | 97篇 |
1993年 | 90篇 |
1992年 | 79篇 |
1991年 | 83篇 |
1990年 | 71篇 |
1989年 | 53篇 |
1988年 | 53篇 |
1987年 | 39篇 |
1986年 | 29篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 3篇 |
1977年 | 4篇 |
1975年 | 3篇 |
1951年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
22.
GaP:(N)的背景光谱和发光尖峰 总被引:1,自引:0,他引:1
获得高分辨GaP(N)光致发光光谱,观察到等电子陷陆束缚激子发光中LO和loc多声子发射,其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论,还观察到局域声子效应--光谱相似定律和相当显著的背景光谱。 相似文献
23.
24.
25.
特征X射线能谱法测定Fe^+注入小麦种子的深度 总被引:5,自引:2,他引:3
用110keV Fe^+离子束垂直注入小麦种胚后,在扫描电子显微镜上沿种子纵沟剖面,在不同深度上测量Fe元素被激发出的特征X射线强度分布,结果表明分布呈指数衰减,与晶体中的热扩散分布相类似,并对此进行了讨论。 相似文献
26.
本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
27.
S. J. Pearton K. P. Lee M. E. Overberg C. R. Abernathy N. Theodoropoulou A. F. Hebard R. G. Wilson S. N. G. Chu J. M. Zavada 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):336-339
High concentrations (0.1–5 at.%) of Mn or Fe were introduced into the near-surface region (≤2000 Å) of 6H-SiC substrates by direct implantation at ~300°C. After annealing at temperatures up to 1000°C, the structural properties were examined by transmission electron microscopy (TEM) and selected-area diffraction pattern (SADP) analysis. The magnetic properties were examined by SQUID magnetometry. While the Mn-implanted samples were paramagnetic over the entire dose range investigated, the Fe-implanted material displayed a ferromagnetic contribution present at <175 K for the highest dose conditions. No secondary phases were detected, at least not to the sensitivity of TEM or SADP. 相似文献
28.
Si1-x-yGexCy ternary alloy films were grown on monocrystalline silicon substrates by C ion implantation and subsequent solid phase epitaxy (SPE). Two-step anneal-ing technique was employed in the SPE. The structure and electrical properties of the alloy films were determined using Fourier transform infrared spectroscopy and van der Pauw Hall measurements, respectively. With the optimization of two-step anneal-ing technique for the implanted Si1-x-yGexCy layers, a certain amount of C atoms occupied substitutional sites and no SiC was formed. 相似文献
29.
A. Edwards Mulpuri V. Rao B. Molnar A. E. Wickenden W. Holland P. H. Chi 《Journal of Electronic Materials》1997,26(3):334-339
Doping by ion implantation using Si, O, Mg, and Ca has been studied in single crystal semi-insulating and n-type GaN grown
on a-sapphire substrates. The n-and p-type dopants used in this study are Si and O; Mg and Ca, respectively. Room temperature
activation of Si and O donors has been achieved after 1150°C annealing for 120 s. The activation of Mg and Ca acceptors is
too low to measure at both room temperature and 300°C. Using higher doses to achieve a measurable p-type conduction increases
the amount of damage created by the implantation. Rutherford back scattering measurements on this material indicate that the
damage is still present even after the maximum possible heat treatment. Secondary ion mass spectrometry measurements have
indicated a redistribution in the measured profiles of Mg due to annealing. 相似文献
30.
GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献