电流模式n阶传输函数的OA-OTA实现

提出了一种新的实现任意 n阶电流模式传输函数的网络结构。该电路仅含运算放大器 (OA)和运算跨导放大器 (OTA)有源器件 ,因而适于全集成。适当设置 OTA的跨导值能实现任意高阶传输函数 ,且传输函数的系数可独立调整。文中推导了滤波器的设计公式 ,并给出了截止频率为 1 0 0 k Hz的三阶巴特沃斯低通滤波器实例 ,PSPICE仿真结果表明所提电路及设计公式是正确的     

单站被动定位及光电实现

目的　光电技术实现的单站被动定位具有重要的军事价值 ,本文介绍了其原理、方法和发展 .方法　本文中 ,单站被动定位分为激光和红外两部分内容讨论 .结果　明确了采用激光和红外技术的单站被动定位工作原理和存在的技术难点 ,同时 ,指出了被动定位的研究动向 .结论　文章表明单站被动定位及光电实现值得进一步研究 .     

微控制器与嵌入式RISC处理器的发展现状

综述了新一代微控制器与嵌入式RISC处理器的主要特点和发展方向；详细介绍了目前国内外最流行的不同字长的系列机种、结构特点、专有特性及系统应用等；最后预测了它们的世界销售市场与国内发展前景。     

PIC单片机在激光电源中的应用研究

论述了单片机控制激光电源的原理，提出了产生PWM控制的基本思想及整个控制系统的硬件组成和软件设计方法。     

电子电气设备的熔断器、断路器保护

熔断器、断路器是电子电气设备最常用的保护电器,熔断器可以实现过载、短路保护,断路器除具上述功能外,还能实行失压保护.根据线路特点和所保护的设备,采取相应的保护设施,确保用电安全.     

单螺杆挤出机—熔体泵串联挤出系统的性能与应用

从原理与应用方面，分析、探讨了单螺杆挤出机-熔体泵串联挤出系统的优异性能以及在塑料挤出成型领域的高效应用。     

液动旋冲接头冲击功测试方法研究

液动旋冲接头性能参数是旋冲接头设计的主要依据之一，如何对液动旋冲接头的参数进行检测是非常重要的工作。在分析和比较了测试液动旋冲接头性能参数各种方法的基础上，选择了冲击力法来进行破岩液动旋冲接头的性能参数测试，以YD系列测力传感器为检测元件，建立了一套比较完善的自动检测系统。分析了影响单次冲击功测试的因素，得出了测试旋冲接头的性能参数的影响规律。     

数控螺纹车削的单步插补控制法

分析了运动控制芯片MCX34的控制原理及单步插补实现过程，提出了基于运动控制芯片MCX314实现螺纹切削的单步插补控制法，从而实现快速，高效的螺纹加工。该方法控制过程简单 ，同步实现锥螺纹，控制精度高（0.001mm），响应快（≤1.6MHz)，脉冲确保不丢失，解决了数控螺纹车削存在的一系列关键问题。     

Adsorption and decomposition of H2S on Pd(1 1 1) surface: a first-principles study

Gradient-corrected density functional theory was used to investigate the adsorption of H₂S on Pd(1 1 1) surface. Molecular adsorption was found to be stable with H₂S binding preferentially at top sites. In addition, the adsorption of other S moieties (SH and S) was investigated. SH and S were found to be preferentially bind at the bridge and fcc sites, respectively. The reaction pathways and energy profiles for H₂S decomposition giving rise to adsorbed S and H were determined. Both H₂S_(ad) → SH_(ad) + H_(ad) and SH_(ad) → S_(ad) + H_(ad) reactions were found to have low barriers and high exothermicities. This reveals that the decomposition of H₂S on Pd(1 1 1) surface is a facile process.     

Bulk growth of Hg0.8Cd0.2Te single crystals by a combined CVT-seeding technique

The growth of high quality Hg_0.8Cd_0.2Te bulk single crystals by CVT, combined with an in-situ seeding technique, is reported here for the first time. For this purpose, a temperature difference of 590° → 540° C with a gradient of 40°-50° C/cm at the solid-vapor interface, and about 0.1 atm of HgI₂ as a transport agent, were employed. The bulk crystals have the expected stoichiometry and compositional homogeneity. Etch pit densities of 10⁴-10⁵ cm⁻² on the (111) face and hitherto unreported etch pits on the (100) face were observed in this work. Possible origins of the sub-grain structure are discussed.