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Dong Hyuk Park Hyun Seung Kim Mi‐Yun Jeong Yong Baek Lee Hyun‐Jun Kim Dae‐Chul Kim Jeongyong Kim Jinsoo Joo 《Advanced functional materials》2008,18(17):2526-2534
We report on the significantly enhanced photoluminescence (PL) of hybrid double‐layered nanotubes (HDLNTs) consisting of poly(3‐methylthiophene) (P3MT) nanotubes with various doping levels enveloped by an inorganic, nickel (Ni) metal nanotube. From laser confocal microscopy PL experiments on a single strand of the doped‐P3MT nanotubes and of their HDLNTs, the PL peak intensity of the HDLNT systems increased remarkably up to ~350 times as the doping level of the P3MT nanotubes of the HDLNTs increased, which was confirmed by measurements of the quantum yield. In a comparison of the normalized ultraviolet and visible absorption spectra of the doped‐P3MT nanotubes and their HDLNTs, new absorption peaks corresponding to surface‐plasmon (SP) energy were created at 563 and 615 nm after the nanoscale Ni metal coating onto the P3MT nanotubes, and their intensity increased on increasing the doping level of the P3MT nanotube. The doping‐induced bipolaron peaks of the HDLNTs of doped‐P3MT/Ni were relatively reduced, compared with those of the doped‐P3MT nanotubes before the Ni coating, due to the charge‐transfer effect in the SP‐resonance (SPR) coupling. Both energy‐transfer and charge‐transfer effects due to SP resonance contributed to the very‐large enhancement of the PL efficiency of the doped‐P3MT‐based HDLNTs. 相似文献
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Ming L. Tang Anna D. Reichardt Toshihiro Okamoto Nobuyuki Miyaki Zhenan Bao 《Advanced functional materials》2008,18(10):1579-1585
A series of compounds from the tetraceno[2,3‐b]thiophene and the anthra[2,3‐b]thiophene family of semiconducting molecules has been made. Specifically, synthetic routes to functionalize the parent molecules with bromo and then hexyl groups are shown. The bromo‐ and hexyl‐functionalized tetraceno[2,3‐b]thiophene and anthra[2,3‐b]thiophene were characterized in the top‐contact thin‐film transistor (TFT) geometry. They give high mobilities, ranging from 0.12 cm2 V?1 s?1 for α‐n‐hexylanthra[2,3‐ b]thiophene to as high as 0.85 cm2 V?1 s?1 for α‐bromotetraceno[2,3‐b]thiophene. Notably, grain size increases, going from the shorter anthra[2,3‐b]thiophene core to the longer tetraceno[2,3‐b]thiophene core, with a corresponding increase in mobility. The transition from undesirable 3D to desirable 2D thin‐film growth is explained by the increase in length of the molecule, in this case by one benzene ring, which results in an increase in intralayer interactions relative to interlayer interactions. 相似文献
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提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO 14443A和ISO 14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大幅度降低.考虑到单线圈天线的性能降低,设计了一个新的具有高效率低启动电压的电荷泵整流电路.整体电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺实现,测试结果显示电荷泵驱动120kΩ等效负载时,整流效率达到36%,输入交流幅度仅0.5V时,输出电压达到电路工作电压1V.标签的阅读距离可以达到22cm. 相似文献
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999.
锁相环电荷泵稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了锁相环中电荷泵模型,对比无补偿和Cr补偿下电路的稳定裕度,提出了一种新的改善电荷泵稳定性的RcCc补偿方法,应用这种方法设计了一款高摆幅、低电流失配的电荷泵.电路采用HJTC 0.18 μm CMOS工艺实现,应用于3.5 GHz的锁相环频率综合器,电源电压1.8 V,输出电流100μ,输出电压0.4~1.4 V时,后仿的电流失配在1%以下,相位裕度达74°,版图面积130μm×80μm. 相似文献
1000.