一种大动态视频对数放大器的设计

介绍了一种大动态范围视频对数放大器的设计,并给出了研制结果。该视频对数放大器是在自制单片IC基础上混合集成,单片IC采用PN结隔离双极工艺制作。经测试,该电路动态范围达84 dB、增益为75 dB、对数斜率为50 mV/dB、对数精度为±2 dB。     

非线性耦合KdV方程组的精确行波解

利用构造辅助函数和辅助常微分方程组的方法,给出了非线性耦合KdV方程的某些新的精确行波解,其中包括孤波解和周期解.     

基于电荷耦合器件的雷达视频积累电路

电荷耦合器件是一种发展前景良好的金属氧化物半导体（MOS）集成电路。该电路广泛应用于彩色成像、信号处理等相关领域。文介绍一种用CCD321型电荷藕合器件设计和实现的脉冲雷达视频积累电路,目的在于探讨使用该器件实现雷达视频积累的可行性和实际效果。实践证明,使用该器件实现雷达信号积累能有效地提高雷达的信噪比,改善雷达的检测能力,达到增加雷达的发现概率和探测距离的目的。经测试,使用该电路可使雷达信噪比可提高3．5dB。     

Cl2/BCl3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。     

变容管调谐微带环形谐振器带通滤波器的研究

本文研究了变容管调谐的微带环形谐振器带通滤波器。给出了微带环形谐振器的谐振特性和两环形谐振器间的耦合特性。制作了二级变容管调谐微带环形谐振器的带通滤波器，实验结果和理论吻合较好。     

双层频率选择表面电磁特性数值模拟研究

给出了一种分析有介质加载的不同栅格外形双层频率选择表面电磁特性的数值模拟方法.介质分离区内前向波和反向波分别关于相应的频率选择表面是周期的,确定了矢量传输及衰减模的表述形式.应用电磁场边界条件获得不同Floquet模系数的矩阵表达式,推导出一组耦合的积分方程,利用矩量法求解得到结构的电磁散射特性.模拟结果表明,由于层间介质内电磁场衰减模的耦合,双层FSS结构的电磁传输特性较单层有很大的改善.     

一种新型波束可控的口径耦合天线

设计一种基于人工电磁结构（AMC）的新型口径耦合天线。对加载了AMC 结构的口径耦合天线进行仿真。 根据仿真结果,天线的工作频率为5.5GHz,辐射的波束指向21°时增益为6.4dB。文中对天线的参数进行分析,波束 的偏移角度与AMC 结构的有关。将AMC 结构变为一排,天线波束可以指向11°。根据天线单元构造1×2 的子阵, 阵列天线具有更高的增益和带宽,并可以有波束的偏移。 天线子阵工作在5.5GHz 时天线的波束指向为26°,增益 8.47dB。     

大失谐情况下的V-型三能级原子与光场相互作用

本文研究了一个V-型三能级原子与光场的相互作用．在原子与场大失谐情况下,处于基态能级可绝热消除,即此模型可化为非简并Raman耦合模型;进而提出了其改进型有效哈密顿量;最后得到了简并Raman耦合模型的有效哈密顿量,并借助于矩阵求出了任意时刻波函数的解。     

PCNN和Otsu理论在图像增强中的应用

提出了基于改进的脉冲耦合神经网络(PCNN)与Otsu的图像增强新方法。该方法对PCNN进行了改进,而用改进后的PCNN进行图像去噪处理,继而用Otsu方法寻找最佳灰度阈值后进行图像增强。仿真实验表明,该方法滤波后信噪比(PSNR)为18．9305,而高斯滤波为5．4087;同时又能根据图像灰度性质自动选取最佳阈值,并对自适应分割后图像进行不同的灰度变换,使图像得到有效增强。仿真结果证明了该方法的有效及合理性。     

严格耦合波方法计算立体正弦光栅衍射效率

为了研究振幅型光栅的衍射效率,运用严格耦合波方法建立立体正弦透射光栅的计算模型。用Matlab软件编程计算衍射效率,并模拟了光栅层附近区域内的光场振幅和相位分布。计算结果表明模型衍射效率与平面的正弦型光栅有差别,其与周期,光栅厚度相关;在一定条件下两者非常接近。