导电填料对电子浆料性能影响的研究进展

导电填料是导电浆料的重要组成部分,其决定了浆料的导电性能,同时影响烧结固化膜的焊接强度、机械强度等物理性能。根据导电填料的分类,从含量、粒径、形貌和表面性能等方面综述其对导电浆料性能影响的相关研究进展。介绍了新型石墨纳米填料,并提出进行纳米填料、低成本环保浆料的开发,丰富产品品种、提高产品质量的发展方向。     

焊膏工艺性要求及性能检测方法

焊膏是SMT工艺中不可缺少的钎焊材料,广泛应用于再流焊中;它是由一定的合金粉末和助焊剂均匀混合而成的膏状体。主要对SMT中焊膏的组成及焊膏性能检测方法进行了简要分析。     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

Sn-Ag-Cu表面贴装元件的水清洗技术

采用SMT450-LD全自动SMT水清洗系统对模拟试件和贴装有片式电阻的PCB板表面残留物采用水基清洗剂清洗。结果表明，用Sn—Ag-Cu免清洗焊膏贴装在FR4基板上的片式电阻，焊后采用水基清洗剂清洗，表面残留物离子浓度为1．9μg/cm^2，达到美国军用标准MIL—STD-2000小于5．7μg／cm^2的规定。清洗过程中参数的设置，如清洗温度，清洗时间会对清洗效果产生较大影响。     

焊膏印刷工艺的控制

在表面安装工艺中，焊膏印刷是一道关键的工序，膏印刷工艺的控制曩着组装板的质量。漏版、焊膏与印刷机是组成焊膏印刷工艺的三项基本内容，三方面相互联系，决定着整个工艺的品质，从焊膏的理化特性、漏版的设计制造以及焊膏印刷机工艺参数的优化设定等方面对焊膏印刷工艺的控制作了初步探讨。     

晶体硅太阳电池选择性扩散的研究

该文主要介绍一种制造太阳电池的选择性扩散新工艺,采用印刷电极的方法在硅片上的电极位置印刷高 磷浆料,然后在整个硅片表面喷涂一层浓度较低的磷源,放入高温炉中扩散后形成电极下具有较高的表面掺杂浓 度(-1020／cm3),电极间具有相对较低的表面掺杂浓度(-1019／cm3)。这样在电极下及具附近将构成一个浓度差结。 这种发射极结构有利于减小发射区复合电流、提高短波响应、作好欧姆接触和提高太阳电池的开路电压等优点。     

银浆中的玻璃粉对晶硅太阳电池串联电阻的影响

研究了丝网印刷银电极中玻璃粉对晶体硅太阳能电池的串联电阻的影响。通过制备不同含量的玻璃粉银浆料,以及对浆料的体电阻率、接触电阻和焊接拉力等性能的表征测试,发现银粉颗粒间隙是造成银电极体电阻增大的主要因素,在一定范围内,用PbO-SiO2系玻璃粉有助于降低银电极体电阻和接触电阻,增加焊接拉力。     

提高CQFP外壳收缩精度和印刷精度

阐述了提高CQFP高封装陶瓷外表收缩精度、印刷精度的几条途径,以适应集成电路向超大规模、超高速、多功能、高密度和大功率发展。     

片式电阻保护浆料的制备

通过与日本样进行对比试验,研究了片式电阻保护浆料的制备工艺及要求。分析了玻璃组成和浆料配方对元件电阻值漂移的影响,并对其保护机理进行了探讨。制备的浆料达到日本样技术指标的要求。利用4号玻璃组分的1MΩ片电阻的阻值漂移率最小为0.9%     

无铅焊膏用助焊剂的制备与研究

无铅焊膏用助焊剂需要一定的黏性,选择有机酸和有机胺混合作为活性物质,配合一定量的松香配制出一种助焊剂。通过控制助焊剂中松香的含量,降低不挥发物的含量,减少残留物对元器件的腐蚀。依据标准对所配制的助焊剂进行了性能测试,并与一种松香含量较高的助焊剂比较。结果表明:助焊剂的松香含量降低约10%,在260℃焊接后不挥发物含量降低了近6%,黏度较好,无卤化物,无毒,环保,符合焊膏用助焊剂的要求。