CFAR处理中检测门限系数的研究

雷达系统在进行恒虚警处理时,通常采用的参考单元数是有限的。此时若采用理论的检测门限,将使虚警率大大增加。本文中我们通过仿真的方法确定CFAR中的实际门限系数,研究有限的参考单元数对虚警性能的影响。给出邻近单元平均恒虚警,选大恒虚警,选小恒虚警与加权单元平均恒虚警等四种检测器在不同参考单元数下的门限系数值。同时得出了不同恒虚警率下的门限系数。     

LiNbO3质子交换光波导偏振器的研究

研制了632.8 nm光波段X切Y传Ti扩散铌酸锂质子交换光波导偏振器.从理论上分析了钛(Ti)扩散及质子交换(PE)LiNbO3波导折射率改变机理,以及影响器件性能的各种因素.实验结果与理论计算符合良好,达到了集成光路中对器件的偏振要求,为其他类型偏振器的研制提供了理论依据.     

基于DCT系数小波重组的图像压缩算法

论文提出一种与小波变换结构近似的嵌入式编码—MSESPIHT。将图像8×8子块进行DCT变换后的系数按照小波变换结构重新组合,运用均值去除法降低低频段系数的冗余度。之后,运用基于分层树集合分割排序的编码算法对图像进行压缩编码。实验表明,采用MSESPIHT处理的图像,在相同压缩比的情况下,图像质量得到改善,当码率为1.00bpp时,EZW、MSEDCT、SPIHT、MSESPIHT、峰值信噪比分别为39.55dB、39.75dB、39.97dB、40.12dB。     

MPL探测气溶胶误差的数值模拟计算研究

微脉冲激光雷达(micropu lse lidar,MPL)是一种新型的激光雷达系统。通过对其探测的大气气溶胶后向散射比和后向散射系数进行误差的数值模拟计算,分析了误差源及其不确定性,给出了误差数值模拟计算的方法。较为详细地分析和讨论了各误差源对大气气溶胶后向散射比和后向散射系数的影响,为进一步提高微脉冲激光雷达的测量精度提供了可靠的理论依据。     

双正交小波提升系数的递推算法与实现

根据双正交小波提升格式的特点,为了得到快速提升小波变换的系数,提出求解提升系数的递推算法。该方法基于前向小波变换的预测和更新过程的递推式,与给定双正交小波滤波器比较系数,求得小波提升系数和尺度系数。实例证明,无论是先预测后更新的提升格式,还是先更新后预测的提升格式,均可用此法求解提升系数。在Matlab7.0平台上,用递推算法编程实现db5.3小波转换成提升格式,完成图像的三级分解。     

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.     

Investigation of electroless cobalt-phosphorous layer and its diffusion barrier properties of Pb-Sn solder

The capability of a cobalt-phosphorous [Co(P)] layer, which was grown via the electroless plating process, to serve as the diffusion barrier of lead-tin (PbSn) solder was investigated in this work. The Auger electron spectroscopy (AES) and energy dispersive spectrometry (EDX) indicated that the phosphorous contents in Co(P) films decrease with increasing film thickness and that the average contents are no less than 8.7 at.% for the specimens prepared in this work. X-ray diffraction in conjunction with composition analyses revealed that the electroless Co(P) layer was a mixture of amorphous and nanocrystalline structures; however, the AES depth profile and subsequent analyses indicated that the first-formed Co(P) layer should be amorphous because it contains as much as 18 at.% P. This implied a good barrier capability for electroless Co(P) because, as revealed by EDX line scan, the Sn and Cu atoms could not penetrate the Co(P) layer after the PbSn/Cu/Co(P)/Cu/Ti/Si sample was subjected to annealing at 250°C in a forming gas ambient for 24 h. The fact that Sn and Cu underlayers could not penetrate the Co layer after such a liquid-state annealing step was evidence that the Co(P) layer may simultaneously serve as a diffusion-barrier interlayer dielectric and as an under-bump metallization for flip-chip copper (Cu) ICs.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。     

100 nm P型超浅结制作工艺研究

介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。