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分析日本家用燃料电池热电联供系统(ENE-FARM)的技术原理及推广应用情况,针对影响ENE-FARM经济性的因素较为复杂的特点,建立考虑设备价格、家庭年用电量、电力及燃气价格等因素的ENE-FARM经济性分析一般模型,引入盈亏平衡电价曲线分析ENE-FARM在日本和中国应用的经济性差异,并分别对2020年和2030年场景进行测算。分析表明:现阶段ENE-FARM在日本已具备应用经济性,但在中国尚不具备大规模推广应用的条件,可在海岛等偏远地区以及自然灾害频发地区试点应用;2030年,在设备造价逐步降低,居民电力及燃气价格体系逐步理顺的前提下,ENE-FARM系统在中国居民家庭中的应用将实现盈亏平衡。 相似文献
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本文对厌氧折流板反应器(ABR)中内部处理过程、相分离特性以及流体流动模型进行了较为详细的研究,对反应器处理酒糟废水的效能也进行了初步探讨。研究结果表明,ABR具有很高的去除水中SS的能力,其内部存在相分离现象,流体流动模型对单个液相间隔区为单级全混流,整个反应器为串联多釜。ABR对水质的改善表明,它将是第二代厌氧反应器用于处理高SS含量废水的一种有效预处理装置。 相似文献
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以水溶性α.β.γ.δ—四—(4—三甲铵苯基)卟啉[T-(4-TAP)P]作显色剂,测定了食品中的痕量铜。对实验条件及共存离子的干扰进行了探讨。在乙醇介质及强酸条件下测定时,其选择性及灵敏度均有显著提高。摩尔吸收系数为4.5×10~5 1mol~(-1).cm~(-1)最小检验量为:0.14ng/cm~2,回收率为96.2~106%,变异系数为:0.46~3.6%。操作简便,结果满意。 相似文献
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We propose two improved scalar multiplication methods on elliptic curves over Fqn where q = 2m using Frobenius expansion. The scalar multiplication of elliptic curves defined over subfield Fq can be sped up by Frobenius expansion. Previous methods are restricted to the case of a small m. However, when m is small, it is hard to find curves having good cryptographic properties. Our methods are suitable for curves defined over medium‐sized fields, that is, 10 ≤ m ≤ 20. These methods are variants of the conventional multiple‐base binary (MBB) method combined with the window method. One of our methods is for a polynomial basis representation with software implementation, and the other is for a normal basis representation with hardware implementation. Our software experiment shows that it is about 10% faster than the MBB method, which also uses Frobenius expansion, and about 20% faster than the Montgomery method, which is the fastest general method in polynomial basis implementation. 相似文献
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温度是工农业生产中很重要的的参数,它直接影响到产品的质量与性能。提出了一种基于ATmega16单片机与温度传感器相结合的实时温度采集与分析系统。本系统介绍了以ATmega16单片机为核心,以及自动化控制装置GTJ4-10A固态继电器和数字温度传感器DS18B20,报警与指示电路等,在分析中基于MFC的软件处理。其中包括温度曲线的绘制,以及温度值的保存,显示历史记录等。在经过烧水温度的测试,该系统稳定可靠便于分析。温度误差0.5℃,可以满足工农业生产的要求 相似文献
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可控硅是可控硅整流器的简称。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象。文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5~6)μA产品中有高档位(20~60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案。 相似文献